MLD1N06CL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MLD1N06CL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 62 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.75 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 4 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.75 Ohm
Тип корпуса: DPAK
MLD1N06CL Datasheet (PDF)
mld1n06cl.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MLD1N06CL/DDesigner's Data SheetMLD1N06CLSMARTDISCRETES Motorola Preferred DeviceInternally Clamped, Current LimitedNChannel Logic Level Power MOSFETVOLTAGE CLAMPEDCURRENT LIMITINGThe MLD1N06CL is designed for applications that require a rugged power switchingMOSFETdevice with short circuit protection
mld1n06cl.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MLD1N06CLPreferred DeviceSMARTDISCRETESt MOSFET1 Amp, 62 Volts, Logic LevelN-Channel DPAKThe MLD1N06CL is designed for applications that require a ruggedpower switching device with short circuit protection that can behttp://onsemi.comdirectly interfaced to a microcontrol unit (MCU). Ideal applicationsinclude automotive fuel injector driver, incandescent lamp driver orother a
mld1n06c.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MLD1N06CL/DDesigner's Data SheetMLD1N06CLSMARTDISCRETES Motorola Preferred DeviceInternally Clamped, Current LimitedNChannel Logic Level Power MOSFETVOLTAGE CLAMPEDCURRENT LIMITINGThe MLD1N06CL is designed for applications that require a rugged power switchingMOSFETdevice with short circuit protection
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: VBE1158N
History: VBE1158N
![MLD1N06CL](https://alltransistors.com/images/us.png)
![MLD1N06CL](https://alltransistors.com/images/es.png)
![MLD1N06CL](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C