NDF04N60Z MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NDF04N60Z
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 19 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.8 Ohm
Тип корпуса: TO220FP
NDF04N60Z Datasheet (PDF)
1.1. ndf04n60z ndp04n60z ndd04n60z.pdf 
Size:148K _1
NDF04N60Z, NDP04N60Z, NDD04N60Z N-Channel Power MOSFET 1.8 W, 600 Volts Features http://onsemi.com • Low ON Resistance • Low Gate Charge • 100% Avalanche Tested VDSS RDS(ON) (TYP) @ 2 A • These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant 600 V 1.8 Ω Applications • Adapter (Notebook, Printer, Gaming) • LCD Panel Power • Lighting Ballasts 4 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
1.2. ndf04n60z ndp04n60z ndd04n60z.pdf Size:130K _onsemi
NDF04N60Z, NDP04N60Z, NDD04N60Z N-Channel Power MOSFET 600 V, 2.0 W Features http://onsemi.com • Low ON Resistance • Low Gate Charge • ESD Diode-Protected Gate VDSS RDS(on) (MAX) @ 2 A • 100% Avalanche Tested 600 V 2.0 Ω • These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant N-Channel ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25°C unless otherwise noted) D (
Другие MOSFET... NDD03N50Z , NDD03N60Z , NDD04N50Z , NDD04N60Z , FDME910PZT , NDD05N50Z , NDF02N60Z , NDF03N60Z , IRFP4229 , FDMA910PZ , NDF04N62Z , NDF05N50Z , NDF06N60Z , FDMC8327L , NDF06N62Z , NDF08N50Z , NDF08N60Z .
