Справочник MOSFET. NTB35N15

 

NTB35N15 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTB35N15
   Маркировка: 35N15
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 178 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 70 nC
   trⓘ - Время нарастания: 125 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK

 Аналог (замена) для NTB35N15

 

 

NTB35N15 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:80K  onsemi
 ntb35n15 ntb35n15g.pdf

NTB35N15 NTB35N15

NTB35N15Power MOSFET37 Amps, 150 VoltsN-Channel Enhancement-Mode D2PAKhttp://onsemi.comFeatures Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete37 AMPERES, 150 VOLTSFast Recovery Diode50 mW @ VGS = 10 V Avalanche Energy Specified IDSS and RDS(on) Specified at Elevated TemperatureN-Channel Mounting Information Provided for the D2PAK PackageD

 ..2. Size:80K  onsemi
 ntb35n15.pdf

NTB35N15 NTB35N15

NTB35N15Power MOSFET37 Amps, 150 VoltsN-Channel Enhancement-Mode D2PAKhttp://onsemi.comFeatures Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete37 AMPERES, 150 VOLTSFast Recovery Diode50 mW @ VGS = 10 V Avalanche Energy Specified IDSS and RDS(on) Specified at Elevated TemperatureN-Channel Mounting Information Provided for the D2PAK PackageD

Другие MOSFET... NIF9N05CL , NIMD6001 , FDD4N60NZ , NTA4001N , NTA4151P , NTA4153N , NTA7002N , NTB25P06 , IRFB4115 , NTB45N06 , NTB45N06L , NTB5404N , NTB5405N , NTB5426N , NTB5605P , NTB60N06 , NTB6410AN .

 

 
Back to Top