NTB35N15 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: NTB35N15
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 178 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 125 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
Аналог (замена) для NTB35N15
NTB35N15 Datasheet (PDF)
ntb35n15 ntb35n15g.pdf
NTB35N15Power MOSFET37 Amps, 150 VoltsN-Channel Enhancement-Mode D2PAKhttp://onsemi.comFeatures Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete37 AMPERES, 150 VOLTSFast Recovery Diode50 mW @ VGS = 10 V Avalanche Energy Specified IDSS and RDS(on) Specified at Elevated TemperatureN-Channel Mounting Information Provided for the D2PAK PackageD
ntb35n15.pdf
NTB35N15Power MOSFET37 Amps, 150 VoltsN-Channel Enhancement-Mode D2PAKhttp://onsemi.comFeatures Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete37 AMPERES, 150 VOLTSFast Recovery Diode50 mW @ VGS = 10 V Avalanche Energy Specified IDSS and RDS(on) Specified at Elevated TemperatureN-Channel Mounting Information Provided for the D2PAK PackageD
Другие MOSFET... NIF9N05CL , NIMD6001 , FDD4N60NZ , NTA4001N , NTA4151P , NTA4153N , NTA7002N , NTB25P06 , P55NF06 , NTB45N06 , NTB45N06L , NTB5404N , NTB5405N , NTB5426N , NTB5605P , NTB60N06 , NTB6410AN .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP2320MI | AP2313MI | AP2312MI | AP2312AI | AP2311MI | AP2311AI | AP2307MI | AP2307AI | AP2305MI | AP2305BI | AP2305AI | AP2302CI | AP2301BI | AP2300MI | AP2300AI | AP15P06D
Popular searches
2n3053 | a1015 | mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor | c945 | ac128 transistor | 2n3055 transistor