Справочник MOSFET. NTD3055L170

 

NTD3055L170 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTD3055L170
   Маркировка: 3170L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 69 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NTD3055L170 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:238K  onsemi
ntd3055l170 nvd3055l170.pdfpdf_icon

NTD3055L170

NTD3055L170,NVD3055L170MOSFET Power,N-Channel, Logic Level,DPAK/IPAKwww.onsemi.com9.0 A, 60 VDesigned for low voltage, high speed switching applications in9.0 AMPERES, 60 VOLTSpower supplies, converters and power motor controls and bridgeRDS(on) = 170 mWcircuits.DFeatures NVD Prefix for Automotive and Other Applications RequiringUnique Site and Control Chang

 ..2. Size:132K  onsemi
ntd3055l170.pdfpdf_icon

NTD3055L170

NTD3055L170Power MOSFET9.0 Amps, 60 Volts, Logic Level,N-Channel DPAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inhttp://onsemi.compower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits.9.0 AMPERES, 60 VOLTSFeaturesRDS(on) = 170 mW These are Pb-Free DevicesN-ChannelTypical ApplicationsD Power Supplies Converters Powe

 0.1. Size:123K  onsemi
ntd3055l170t4g.pdfpdf_icon

NTD3055L170

NTD3055L170,NVD3055L170Power MOSFET9.0 A, 60 V, Logic Level, N-Channel DPAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridgehttp://onsemi.comcircuits.9.0 AMPERES, 60 VOLTSFeatures NVD Prefix for Automotive and Other Applications Requiring RDS(on) = 170 mWUnique Site and Control Change Requirement

 0.2. Size:852K  cn vbsemi
ntd3055l170t4g.pdfpdf_icon

NTD3055L170

NTD3055L170T4Gwww.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.073 at VGS = 10 V 18.2 Material categorization:60 19.8For definitions of compliance please see0.085 at VGS = 4.5 V 13.2TO-252APPLICATIONSD DC/DC Converters DC/AC Inverters

Другие MOSFET... NTD20P06L , NTD24N06 , NTD24N06L , NTD25P03L , NTD2955 , NTD3055-094 , NTD3055-150 , NTD3055L104 , 4N60 , NTD40N03R , NTD4302 , NTD4804N , NTD4805N , NTD4806N , NTD4808N , NTD4809N , NTD4810N .

History: ZXMS6006DGQ | NTD14N03R | SWI088R06VT | QM6006B | PJA3434 | SIR316DP | SFR9120

 

 
Back to Top

 


 
.