NTD40N03R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTD40N03R
Маркировка: T40N03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 25 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 32 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 5.78 nC
Время нарастания (tr): 19.5 ns
Выходная емкость (Cd): 254 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.023 Ohm
Тип корпуса: DPAK
NTD40N03R Datasheet (PDF)
ntd40n03r.pdf
NTD40N03RPower MOSFET45 A, 25 V, N-Channel DPAKFeatures Planar HD3e Process for Fast Switching Performance Low RDS(on) to Minimize Conduction Losshttp://onsemi.com Low Ciss to Minimize Driver Loss Low Gate Charge45 AMPERES, 25 VOLTS Optimized for High Side Switching Requirements inRDS(on) = 12.6 mW (Typ)High-Efficiency DC-DC Converters These are Pb-Fr
ntd40n03r.pdf
NTD40N03Rwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.007 at VGS = 10 V 5030 25 nC0.009 at VGS = 4.5 V 40APPLICATIONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSO
ntd40n03r-1g ntd40n03rg.pdf
NTD40N03RPower MOSFET45 A, 25 V, N-Channel DPAKFeatures Planar HD3e Process for Fast Switching Performance Low RDS(on) to Minimize Conduction Losshttp://onsemi.com Low Ciss to Minimize Driver Loss Low Gate Charge45 AMPERES, 25 VOLTS Optimized for High Side Switching Requirements inRDS(on) = 12.6 mW (Typ)High-Efficiency DC-DC Converters These are Pb-Fr
Другие MOSFET... NTD24N06 , NTD24N06L , NTD25P03L , NTD2955 , NTD3055-094 , NTD3055-150 , NTD3055L104 , NTD3055L170 , MMIS60R580P , NTD4302 , NTD4804N , NTD4805N , NTD4806N , NTD4808N , NTD4809N , NTD4810N , NTD4813N .
