NTD6415AN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NTD6415AN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для NTD6415AN
NTD6415AN Datasheet (PDF)
ntd6415an.pdf

NTD6415ANN-Channel Power MOSFET100 V, 23 A, 55 mWFeatures Low RDS(on) High Current Capabilityhttp://onsemi.com 100% Avalanche Tested These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantID MAXV(BR)DSS RDS(on) MAX (Note 1)MAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)Parameter Symbol Value Unit100 V 55 mW @ 10 V 23 ADrain-to-Source Voltage VDSS 100 VGate
ntd6415anl-d.pdf

NTD6415ANLN--Channel Power MOSFET100 V, 23 A, 56 m, LogicLevelFeatures Low RDS(on)http://onsemi.com 100% Avalanche Tested AEC--Q101 QualifiedV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX These Devices are Pb--Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant56 m @4.5 V100 V 23 A52 m @10VMAXIMUM RATINGS (TJ =25C unless otherwise noted)Parameter Symbol Value Uni
ntd6415an-1g.pdf

NTD6415AN, NVD6415ANN-Channel Power MOSFET100 V, 23 A, 55 mWFeatures Low RDS(on) High Current Capabilityhttp://onsemi.com 100% Avalanche Tested AEC Q101 Qualified - NVD6415ANID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantV(BR)DSS RDS(on) MAX (Note 1)MAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)100 V 55 mW @ 10 V 23 AParameter Symbol Value
ntd6415anl nvd6415anl.pdf

NTD6415ANL, NVD6415ANLN-Channel Power MOSFET100 V, 23 A, 56 mW, LogicLevelFeatures Low RDS(on)www.onsemi.com 100% Avalanche Tested NVD Prefix for Automotive and Other Applications RequiringV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAXUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualified and PPAP Capable56 mW @ 4.5 V100 V 23 A These Devices are Pb-Free and are RoHS
Другие MOSFET... NTD5805N , NTD5806N , NTD5807N , NTD5862N , NTD5865N , NTD5865NL , NTD5867NL , NTD6414AN , IRF9640 , NTD6415ANL , NTD6416AN , NTD6416ANL , NTD70N03R , NTE4151P , NTE4153N , NTF2955 , NTF3055-100 .
History: FDMS4435BZ | IRFI640G | SSS6N90A | SSF70N10A | BL4N80K-P | WST02N10 | BUK7524-55
History: FDMS4435BZ | IRFI640G | SSS6N90A | SSF70N10A | BL4N80K-P | WST02N10 | BUK7524-55



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ90N02A | JMTQ60N04B | JMTQ440P04A | JMTQ4407A | JMTQ380C03D | JMTQ3400D | JMTQ320N10A | JMTQ3010D | JMTQ3008A | JMTQ3006C | JMTQ3006B | JMTQ3005C | JMTQ3005A | JMTQ3003A | JMTQ250C03D | JMTLA3134K
Popular searches
2n3904 equivalent | ksa1220 | s9015 | mje3055t datasheet | a733 | irf9630 | mj2955 | mje15030