NTF6P02 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NTF6P02
Маркировка: F6P02
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 8.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: SOT223
Аналог (замена) для NTF6P02
NTF6P02 Datasheet (PDF)
ntf6p02 nvf6p02.pdf

NTF6P02, NVF6P02MOSFET Power,P-Channel, SOT-223-10 A, -20 VFeatureswww.onsemi.com Low RDS(on)-10 AMPERES Logic Level Gate Drive Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery -20 VOLTS Avalanche Energy SpecifiedRDS(on) = 44 mW (Typ.) NVF Prefix for Automotive and Other Applications RequiringSUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualifie
ntf6p02t3.pdf

NTF6P02T3Power MOSFET-10 Amps, -20 VoltsP-Channel SOT-223http://onsemi.comFeatures Low RDS(on)-10 AMPERES Logic Level Gate Drive-20 VOLTS Diode Exhibits High Speed, Soft RecoveryRDS(on) = 44 mW (Typ.) Avalanche Energy Specified Pb-Free Package is Available STypical ApplicationsG Power Management in Portables and Battery-Powered Products, i.e.:
ntf6p02t3g.pdf

NTF6P02T3G, NVF6P02T3GPower MOSFET-10 Amps, -20 VoltsP-Channel SOT-223http://onsemi.comFeatures Low RDS(on)-10 AMPERES Logic Level Gate Drive-20 VOLTS Diode Exhibits High Speed, Soft RecoveryRDS(on) = 44 mW (Typ.) Avalanche Energy Specified AEC Q101 Qualified and PPAP Capable - NVF6P02T3GS NVF Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
ntf6p02t3g.pdf

NTF6P02T3Gwww.VBsemi.twP-Channel 35 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.050 at VGS = - 10 V - 6.2 TrenchFET Power MOSFET- 35 9.8 nC0.060 at VGS = - 4.5 V - 5.1 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECS APPLICATIONS Loa
Другие MOSFET... NTD6416ANL , NTD70N03R , NTE4151P , NTE4153N , NTF2955 , NTF3055-100 , NTF3055L108 , NTF5P03T3 , IRF3205 , NTGD1100L , NTGD3148N , NTGD4161P , NTGD4167C , NTGS3130N , NTGS3136P , NTGS3433 , NTGS3441 .
History: WM04P50M | FDMC86102LZ | 2SJ326 | FDA70N20 | JCS4N65F | FQP27P06
History: WM04P50M | FDMC86102LZ | 2SJ326 | FDA70N20 | JCS4N65F | FQP27P06



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0302PU | JMSL0302PG2 | JMSL0302DG | JMSL0302BU | JMSL0302AK | JMSL0301TG | JMSL0301AG | JMSH2010PTL | JMSH2010PS | JMSH2010PE | JMSH2010PCQ | JMSH2010PC | JMSH2010BTL | JMSH2010BS | JMSH2010BE | JMSH2010BC
Popular searches
2n4125 | tip42c transistor | c1815 transistor datasheet | mj15003 | 2sa1015 | ksc3503 | c945 transistor datasheet | bt137 datasheet