NTGD4161P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NTGD4161P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
Тип корпуса: TSOP6
Аналог (замена) для NTGD4161P
NTGD4161P Datasheet (PDF)
ntgd4161p.pdf

NTGD4161Pwww.VBsemi.twDual P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.075 at VGS = - 4.5V - 4.0 TrenchFET Power MOSFET- 20 2.7 nC0.100 at VGS = - 2.5 V - 3.2 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch for Portable A
ntgd4161p-d ntgd4161pt1g.pdf

NTGD4161PPower MOSFET-30 V, -2.3 A, Dual P-Channel, TSOP-6Features Fast Switching Speed Low Gate Chargehttp://onsemi.com Low RDS(on) Independently Connected Devices to Provide Design FlexibilityV(BR)DSS RDS(on) Max This is a Pb-Free Device160 mW @ -10 VApplications-30 V280 mW @ -4.5 V Load Switch Battery Protection Portable Devices Like
ntgd4167c.pdf

NTGD4167CPower MOSFETComplementary, 30 V, +2.9/-2.2 A,TSOP-6 DualFeatures Complementary N-Channel and P-Channel MOSFEThttp://onsemi.com Small Size (3 x 3 mm) Dual TSOP-6 Package Leading Edge Trench Technology for Low On ResistanceV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX (Note 1) Reduced Gate Charge to Improve Switching Response90 mW @ 4.5 V 2.6 AN-Ch Independently Co
ntgd4169f ntgd4169ft1g.pdf

NTGD4169FPower MOSFET andSchottky Diode30 V, 2.9 A, N-Channel with SchottkyBarrier Diode, TSOP-6Featureshttp://onsemi.com Fast Switching N-CHANNEL MOSFET Low Gate ChangeV(BR)DSS RDS(on) MaxID Max Low RDS(on)90 mW @ 4.5 V 2.6 A Low VF Schottky Diode30 V Independently Connected Devices to Provide Design Flexibility125 mW @ 2.5 V 2.2 A This is
Другие MOSFET... NTE4153N , NTF2955 , NTF3055-100 , NTF3055L108 , NTF5P03T3 , NTF6P02 , NTGD1100L , NTGD3148N , 20N60 , NTGD4167C , NTGS3130N , NTGS3136P , NTGS3433 , NTGS3441 , NTGS3443 , NTGS3446 , NTGS3455 .
History: FCI25N60NF102 | ECH8667
History: FCI25N60NF102 | ECH8667



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTN330N06A | JMTN2310A | JMTN11DN10A | JMTM8810KS | JMTM850P04A | JMTM8205B | JMTM8205A | JMTM3415KL | JMTM3406D | JMTM330N06A | JMTM300N03D | JMTM300C02D | JMTM2310A | JMTM170N04A | JMTLB3134K | JMTLB2N7002KDS
Popular searches
mj15003 | 2sa1015 | ksc3503 | c945 transistor datasheet | bt137 datasheet | 2n2907a datasheet | irfz24n | bd135