Справочник MOSFET. NTGD4161P

 

NTGD4161P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTGD4161P
   Маркировка: S8*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 5.6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6

 Аналог (замена) для NTGD4161P

 

 

NTGD4161P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2406K  cn vbsemi
 ntgd4161p.pdf

NTGD4161P NTGD4161P

NTGD4161Pwww.VBsemi.twDual P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.075 at VGS = - 4.5V - 4.0 TrenchFET Power MOSFET- 20 2.7 nC0.100 at VGS = - 2.5 V - 3.2 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch for Portable A

 0.1. Size:67K  onsemi
 ntgd4161p-d ntgd4161pt1g.pdf

NTGD4161P NTGD4161P

NTGD4161PPower MOSFET-30 V, -2.3 A, Dual P-Channel, TSOP-6Features Fast Switching Speed Low Gate Chargehttp://onsemi.com Low RDS(on) Independently Connected Devices to Provide Design FlexibilityV(BR)DSS RDS(on) Max This is a Pb-Free Device160 mW @ -10 VApplications-30 V280 mW @ -4.5 V Load Switch Battery Protection Portable Devices Like

 7.1. Size:99K  onsemi
 ntgd4167c.pdf

NTGD4161P NTGD4161P

NTGD4167CPower MOSFETComplementary, 30 V, +2.9/-2.2 A,TSOP-6 DualFeatures Complementary N-Channel and P-Channel MOSFEThttp://onsemi.com Small Size (3 x 3 mm) Dual TSOP-6 Package Leading Edge Trench Technology for Low On ResistanceV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX (Note 1) Reduced Gate Charge to Improve Switching Response90 mW @ 4.5 V 2.6 AN-Ch Independently Co

 7.2. Size:130K  onsemi
 ntgd4169f ntgd4169ft1g.pdf

NTGD4161P NTGD4161P

NTGD4169FPower MOSFET andSchottky Diode30 V, 2.9 A, N-Channel with SchottkyBarrier Diode, TSOP-6Featureshttp://onsemi.com Fast Switching N-CHANNEL MOSFET Low Gate ChangeV(BR)DSS RDS(on) MaxID Max Low RDS(on)90 mW @ 4.5 V 2.6 A Low VF Schottky Diode30 V Independently Connected Devices to Provide Design Flexibility125 mW @ 2.5 V 2.2 A This is

Другие MOSFET... NTE4153N , NTF2955 , NTF3055-100 , NTF3055L108 , NTF5P03T3 , NTF6P02 , NTGD1100L , NTGD3148N , IRF840 , NTGD4167C , NTGS3130N , NTGS3136P , NTGS3433 , NTGS3441 , NTGS3443 , NTGS3446 , NTGS3455 .

 

 
Back to Top