Справочник MOSFET. NTHC5513

 

NTHC5513 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTHC5513
   Маркировка: C1*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.9(2.2) A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 2.6(3) nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 9(13) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80(95) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08(0.155) Ohm
   Тип корпуса: CHIPFET8
 

 Аналог (замена) для NTHC5513

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTHC5513 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:80K  onsemi
 nthc5513.pdf pdf_icon

NTHC5513

NTHC5513Power MOSFET20 V, +3.9 A / -3.0 A,Complementary ChipFETtFeatures Complementary N-Channel and P-Channel MOSFEThttp://onsemi.com Small Size, 40% Smaller than TSOP-6 Package Leadless SMD Package Featuring Complementary PairV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX ChipFET Package Provides Great Thermal Characteristics Similar to60 mW @ 4.5 VN-ChannelLarger Packages

Другие MOSFET... NTGS3433 , NTGS3441 , NTGS3443 , NTGS3446 , NTGS3455 , NTGS4111P , NTGS4141N , NTGS5120P , IRF3710 , NTHD3100C , NTHD3101F , NTHD3102C , NTHD3133PF , NTHD4102P , NTHD4502N , NTHD4508N , SRC60R090B .

 

 
Back to Top

 


 
.