Справочник MOSFET. NTHC5513

 

NTHC5513 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTHC5513
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.9(2.2) A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9(13) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80(95) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08(0.155) Ohm
   Тип корпуса: CHIPFET8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NTHC5513 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:80K  onsemi
 nthc5513.pdf pdf_icon

NTHC5513

NTHC5513Power MOSFET20 V, +3.9 A / -3.0 A,Complementary ChipFETtFeatures Complementary N-Channel and P-Channel MOSFEThttp://onsemi.com Small Size, 40% Smaller than TSOP-6 Package Leadless SMD Package Featuring Complementary PairV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX ChipFET Package Provides Great Thermal Characteristics Similar to60 mW @ 4.5 VN-ChannelLarger Packages

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: ZVP0535A

 

 
Back to Top

 


 
.