NTHC5513 - описание и поиск аналогов

 

NTHC5513. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTHC5513

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.9(2.2) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9(13) ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80(95) pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08(0.155) Ohm

Тип корпуса: CHIPFET8

Аналог (замена) для NTHC5513

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTHC5513 даташит

 ..1. Size:80K  onsemi
 nthc5513.pdf pdf_icon

NTHC5513

NTHC5513 Power MOSFET 20 V, +3.9 A / -3.0 A, Complementary ChipFETt Features Complementary N-Channel and P-Channel MOSFET http //onsemi.com Small Size, 40% Smaller than TSOP-6 Package Leadless SMD Package Featuring Complementary Pair V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX ChipFET Package Provides Great Thermal Characteristics Similar to 60 mW @ 4.5 V N-Channel Larger Packages

Другие MOSFET... NTGS3433 , NTGS3441 , NTGS3443 , NTGS3446 , NTGS3455 , NTGS4111P , NTGS4141N , NTGS5120P , AO3400 , NTHD3100C , NTHD3101F , NTHD3102C , NTHD3133PF , NTHD4102P , NTHD4502N , NTHD4508N , SRC60R090B .

History: WMM14N70C4 | 2SK1315L | WMP15N60C4 | SWU069R10VS | SFT1423 | APTC90DAM60CT1G | WMK16N70SR

 

 

 

 

↑ Back to Top
.