NTHD3101F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NTHD3101F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11.7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
Тип корпуса: CHIPFET8
Аналог (замена) для NTHD3101F
NTHD3101F Datasheet (PDF)
nthd3101f.pdf

NTHD3101FPower MOSFET andSchottky Diode-20 V, Fetky, P-Channel, -3.2 A, with 2.2ASchottky Barrier Diode, ChipFET]Featureshttp://onsemi.com Leadless SMD Package Featuring a MOSFET and Schottky DiodeMOSFET 40% Smaller than TSOP-6 Package Leadless SMD Package Provides Great Thermal CharacteristicsV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Independent Pinout to each Device to E
nthd3101ft1g nthd3101ft3.pdf

NTHD3101FPower MOSFET andSchottky Diode-20 V, FETKYt, P-Channel, -4.4 A, with4.1 A Schottky Barrier Diode, ChipFETthttp://onsemi.comFeatures Leadless SMD Package Featuring a MOSFET and Schottky DiodeMOSFET 40% Smaller than TSOP-6 PackageV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Leadless SMD Package Provides Great Thermal Characteristics64 mW @ -4.5 V-20 V -4.4 A Indepe
nthd3100c.pdf

AND PIN ANTHD3100CPower MOSFET20 V, +3.9 A /-4.4 A,Complementary ChipFETtFeatureshttp://onsemi.com Complementary N-Channel and P-Channel MOSFET Small Size, 40% Smaller than TSOP-6 PackageV(BR)DSS RDS(on) Typ ID MAX Leadless SMD Package Provides Great Thermal Characteristics58 mW @ 4.5 VN-Channel Trench P-Channel for Low On Resistance3.9 A20 V77 mW @ 2
nthd3102c.pdf

NTHD3102CPower MOSFETComplementary, 20 V, +5.5 A /-4.2 A,ChipFETtFeatures Complementary N-Channel and P-Channel MOSFET http://onsemi.com Small Size, 40% Smaller than TSOP-6 Package Leadless SMD Package Provides Great Thermal CharacteristicsID MAXV(BR)DSS RDS(on) TYP (Note 1) Leading Edge Trench Technology for Low On Resistance Reduced Gate Charge to Improve
Другие MOSFET... NTGS3443 , NTGS3446 , NTGS3455 , NTGS4111P , NTGS4141N , NTGS5120P , NTHC5513 , NTHD3100C , P55NF06 , NTHD3102C , NTHD3133PF , NTHD4102P , NTHD4502N , NTHD4508N , SRC60R090B , NTHS4101P , NTHS4166N .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2sk1058 | ss8550 | mje15033 | 2sc945 datasheet | a92 transistor | rfp50n06 | bd140 datasheet | tip2955