Справочник MOSFET. NTJD4158C

 

NTJD4158C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTJD4158C
   Маркировка: TCD*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30(20) V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20(12) V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.25(0.88) A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 0.9(2.2) nC
   trⓘ - Время нарастания: 66(6.5) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 19(25) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5(0.26) Ohm
   Тип корпуса: SC88 SOT363

 Аналог (замена) для NTJD4158C

 

 

NTJD4158C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:142K  onsemi
 ntjd4158c.pdf

NTJD4158C NTJD4158C

NTJD4158CSmall Signal MOSFET30 V/-20 V, +0.25/-0.88 A,Complementary, SC-88Featureshttp://onsemi.com Leading 20 V Trench for Low RDS(on) Performance ESD Protected GateV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max SC-88 Package for Small Footprint (2 x 2 mm)1.0 W @ 4.5 VN-Ch This is a Pb-Free Device 0.25 A30 V1.5 W @ 2.5 VApplications215 mW @ -4.5 VP-Ch-0.88 A-20 V

 ..2. Size:142K  onsemi
 ntjd4158c nvjd4158c.pdf

NTJD4158C NTJD4158C

NTJD4158C, NVJD4158CMOSFET Small Signal,Complementary, SC-8830 V/-20 V, +0.25/-0.88 AFeatureswww.onsemi.com Leading 20 V Trench for Low RDS(on) Performance ESD Protected GateV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max SC-88 Package for Small Footprint (2 x 2 mm)1.0 W @ 4.5 V NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueN-Ch0.25 A30 VSite and Cont

 7.1. Size:126K  onsemi
 ntjd4152p nvjd4152p.pdf

NTJD4158C NTJD4158C

NTJD4152P, NVJD4152PMOSFET Dual, P-Channel,Trench Small Signal, ESDProtected, SC-8820 V, 0.88 AFeatureswww.onsemi.com Leading Trench Technology for Low RDS(ON) Performance Small Footprint Package (SC70-6 Equivalent)V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max ESD Protected Gate215 mW @ -4.5 V NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique-20 VSite an

 7.2. Size:88K  onsemi
 ntjd4152p.pdf

NTJD4158C NTJD4158C

NTJD4152PTrench Small SignalMOSFET20 V, 0.88 A, Dual P-Channel, ESD Protected SC-88http://onsemi.comFeatures Leading Trench Technology for Low RDS(ON) PerformanceV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Small Footprint Package (SC70-6 Equivalent)215 mW @ -4.5 V ESD Protected Gate Pb-Free Package is Available-20 V345 mW @ -2.5 V -0.88 AApplications600 mW @ -1.8 V

 7.3. Size:72K  onsemi
 ntjd4152pt1g.pdf

NTJD4158C NTJD4158C

NTJD4152PTrench Small SignalMOSFET20 V, 0.88 A, Dual P-Channel, ESD Protected SC-88Features Leading Trench Technology for Low RDS(ON) PerformanceV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Small Footprint Package (SC70-6 Equivalent)215 mW @ -4.5 V ESD Protected Gate Pb-Free Package is Available-20 V345 mW @ -2.5 V -0.88 AApplications600 mW @ -1.8 V Load/Power Mana

Другие MOSFET... NTHS4166N , NTHS5404 , NTHS5441T1 , NTHS5443 , NTJD1155L , NTJD4001N , NTJD4105C , NTJD4152P , IRF1010E , NTJD4401N , NTJD5121N , NTJS3151P , NTJS3157N , NTJS4151P , NTJS4405N , NTK3043N , NTK3134N .

 

 
Back to Top