NTJD4158C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTJD4158C
Маркировка: TCD*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.27 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30(20) V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20(12) V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.25(0.88) A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 0.9(2.2) nC
Время нарастания (tr): 66(6.5) ns
Выходная емкость (Cd): 19(25) pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.5(0.26) Ohm
Тип корпуса: SC88 SOT363
NTJD4158C Datasheet (PDF)
ntjd4158c.pdf
NTJD4158CSmall Signal MOSFET30 V/-20 V, +0.25/-0.88 A,Complementary, SC-88Featureshttp://onsemi.com Leading 20 V Trench for Low RDS(on) Performance ESD Protected GateV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max SC-88 Package for Small Footprint (2 x 2 mm)1.0 W @ 4.5 VN-Ch This is a Pb-Free Device 0.25 A30 V1.5 W @ 2.5 VApplications215 mW @ -4.5 VP-Ch-0.88 A-20 V
ntjd4158c nvjd4158c.pdf
NTJD4158C, NVJD4158CMOSFET Small Signal,Complementary, SC-8830 V/-20 V, +0.25/-0.88 AFeatureswww.onsemi.com Leading 20 V Trench for Low RDS(on) Performance ESD Protected GateV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max SC-88 Package for Small Footprint (2 x 2 mm)1.0 W @ 4.5 V NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueN-Ch0.25 A30 VSite and Cont
ntjd4152p nvjd4152p.pdf
NTJD4152P, NVJD4152PMOSFET Dual, P-Channel,Trench Small Signal, ESDProtected, SC-8820 V, 0.88 AFeatureswww.onsemi.com Leading Trench Technology for Low RDS(ON) Performance Small Footprint Package (SC70-6 Equivalent)V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max ESD Protected Gate215 mW @ -4.5 V NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique-20 VSite an
ntjd4152p.pdf
NTJD4152PTrench Small SignalMOSFET20 V, 0.88 A, Dual P-Channel, ESD Protected SC-88http://onsemi.comFeatures Leading Trench Technology for Low RDS(ON) PerformanceV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Small Footprint Package (SC70-6 Equivalent)215 mW @ -4.5 V ESD Protected Gate Pb-Free Package is Available-20 V345 mW @ -2.5 V -0.88 AApplications600 mW @ -1.8 V
ntjd4152pt1g.pdf
NTJD4152PTrench Small SignalMOSFET20 V, 0.88 A, Dual P-Channel, ESD Protected SC-88Features Leading Trench Technology for Low RDS(ON) PerformanceV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Small Footprint Package (SC70-6 Equivalent)215 mW @ -4.5 V ESD Protected Gate Pb-Free Package is Available-20 V345 mW @ -2.5 V -0.88 AApplications600 mW @ -1.8 V Load/Power Mana
Другие MOSFET... NTHS4166N , NTHS5404 , NTHS5441T1 , NTHS5443 , NTJD1155L , NTJD4001N , NTJD4105C , NTJD4152P , 2SK3568 , NTJD4401N , NTJD5121N , NTJS3151P , NTJS3157N , NTJS4151P , NTJS4405N , NTK3043N , NTK3134N .
