NTJD4158C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NTJD4158C
Маркировка: TCD*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.27 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30(20) V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20(12) V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.25(0.88) A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 0.9(2.2) nC
tr ⓘ - Время нарастания: 66(6.5) ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 19(25) pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5(0.26) Ohm
Тип корпуса: SC88 SOT363
Аналог (замена) для NTJD4158C
NTJD4158C Datasheet (PDF)
ntjd4158c.pdf

NTJD4158CSmall Signal MOSFET30 V/-20 V, +0.25/-0.88 A,Complementary, SC-88Featureshttp://onsemi.com Leading 20 V Trench for Low RDS(on) Performance ESD Protected GateV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max SC-88 Package for Small Footprint (2 x 2 mm)1.0 W @ 4.5 VN-Ch This is a Pb-Free Device 0.25 A30 V1.5 W @ 2.5 VApplications215 mW @ -4.5 VP-Ch-0.88 A-20 V
ntjd4158c nvjd4158c.pdf

NTJD4158C, NVJD4158CMOSFET Small Signal,Complementary, SC-8830 V/-20 V, +0.25/-0.88 AFeatureswww.onsemi.com Leading 20 V Trench for Low RDS(on) Performance ESD Protected GateV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max SC-88 Package for Small Footprint (2 x 2 mm)1.0 W @ 4.5 V NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueN-Ch0.25 A30 VSite and Cont
ntjd4152p nvjd4152p.pdf

NTJD4152P, NVJD4152PMOSFET Dual, P-Channel,Trench Small Signal, ESDProtected, SC-8820 V, 0.88 AFeatureswww.onsemi.com Leading Trench Technology for Low RDS(ON) Performance Small Footprint Package (SC70-6 Equivalent)V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max ESD Protected Gate215 mW @ -4.5 V NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique-20 VSite an
ntjd4152p.pdf

NTJD4152PTrench Small SignalMOSFET20 V, 0.88 A, Dual P-Channel, ESD Protected SC-88http://onsemi.comFeatures Leading Trench Technology for Low RDS(ON) PerformanceV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Small Footprint Package (SC70-6 Equivalent)215 mW @ -4.5 V ESD Protected Gate Pb-Free Package is Available-20 V345 mW @ -2.5 V -0.88 AApplications600 mW @ -1.8 V
Другие MOSFET... NTHS4166N , NTHS5404 , NTHS5441T1 , NTHS5443 , NTJD1155L , NTJD4001N , NTJD4105C , NTJD4152P , IRF4905 , NTJD4401N , NTJD5121N , NTJS3151P , NTJS3157N , NTJS4151P , NTJS4405N , NTK3043N , NTK3134N .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ | JMPL0648AU | JMPL0648AK | JMPL0648AG | JMPL0625AP | JMPL0622AK | JMSL0302PU | JMSL0302PG2 | JMSL0302DG | JMSL0302BU | JMSL0302AK | JMSL0301TG | JMSL0301AG | JMSH2010PTL
Popular searches
2n5401 datasheet | mj21194g | irfz34n | mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet