NTJS4151P - описание и поиск аналогов

 

NTJS4151P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTJS4151P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SC88 SOT363

Аналог (замена) для NTJS4151P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTJS4151P даташит

 ..1. Size:143K  onsemi
ntjs4151p ntjs4151pt1 ntjs4151pt1g.pdfpdf_icon

NTJS4151P

NTJS4151P Trench Power MOSFET -20 V, -4.2 A, Single P-Channel, SC-88 Features Leading Trench Technology for Low RDS(ON) Extending Battery Life http //onsemi.com SC-88 Small Outline (2x2 mm) for Maximum Circuit Board V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Utilization, Same as SC-70-6 47 mW @ -4.5 V Gate Diodes for ESD Protection -20 V 70 mW @ -2.5 V -4.2 A Pb-Free Package is Avai

 8.1. Size:81K  onsemi
ntjs4160n-d ntjs4160nt1g.pdfpdf_icon

NTJS4151P

NTJS4160N Power MOSFET 30 V, 3.2 A, Single N-Channel, SC-88 Features Offers an Low RDS(on) Solution in the SC-88 Package Low Profile (

 9.1. Size:102K  onsemi
ntjs4405n.pdfpdf_icon

NTJS4151P

NTJS4405N Small Signal MOSFET 25 V, 1.2 A, Single, N-Channel, SC-88 Features Advance Planar Technology for Fast Switching, Low RDS(on) http //onsemi.com Higher Efficiency Extending Battery Life V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Pb-Free Packages are Available 249 mW @ 4.5 V 25 V 1.2 A Applications 299 mW @ 2.7 V Boost and Buck Converter Load Switch N-Channel Batt

 9.2. Size:191K  onsemi
ntjs4405n nvjs4405n.pdfpdf_icon

NTJS4151P

NTJS4405N, NVJS4405N MOSFET Single, N-Channel, Small Signal, SC-88 25 V, 1.2 A http //onsemi.com Features V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Advance Planar Technology for Fast Switching, Low RDS(on) 249 mW @ 4.5 V Higher Efficiency Extending Battery Life 25 V 1.2 A 299 mW @ 2.7 V AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVJS4405N These Devices are Pb-Free and are RoHS Co

Другие MOSFET... NTJD4001N , NTJD4105C , NTJD4152P , NTJD4158C , NTJD4401N , NTJD5121N , NTJS3151P , NTJS3157N , 4435 , NTJS4405N , NTK3043N , NTK3134N , NTK3139P , NTLGD3502N , NTLGF3402P , NTLJD3115P , NTLJD3119C .

History: 2SK3050

 

 

 

 

↑ Back to Top
.