NTLJD3115P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTLJD3115P
Маркировка: JD*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.71 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 5.5 nC
Время нарастания (tr): 11 ns
Выходная емкость (Cd): 91 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm
Тип корпуса: WDFN6
Аналог (замена) для NTLJD3115P
NTLJD3115P Datasheet (PDF)
ntljd3115p.pdf
NTLJD3115PPower MOSFET-20 V, -4.1 A, mCoolt Dual P-Channel,2x2 mm WDFN PackageFeatures WDFN Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent Thermalhttp://onsemi.comConduction 2x2 mm Footprint Same as SC-88V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX (Note 1) Lowest RDS(on) Solution in 2x2 mm Package100 mW @ -4.5 V 1.8 V RDS(on) Rating for Operation at Low Voltage Gate Drive
ntljd3119ctag ntljd3119ctbg.pdf
NTLJD3119CPower MOSFET20 V/-20 V, 4.6 A/-4.1 A, mCooltComplementary, 2x2 mm, WDFN PackageFeatures Complementary N-Channel and P-Channel MOSFET WDFN Package with Exposed Drain Pad for Excellent Thermalhttp://onsemi.comConduction Footprint Same as SC-88 PackageV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Leading Edge Trench Technology for Low On Resistance65 mW @ 4.5 V 3.8 A
ntljd3119c.pdf
NTLJD3119CPower MOSFET20 V/-20 V, 4.6 A/-4.1 A, mCooltComplementary, 2x2 mm, WDFN PackageFeatures Complementary N-Channel and P-Channel MOSFET WDFN Package with Exposed Drain Pad for Excellent Thermalhttp://onsemi.comConduction Footprint Same as SC-88 PackageV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Leading Edge Trench Technology for Low On Resistance65 mW @ 4.5 V 3.8 A
ntljd3182fztag ntljd3182fztbg.pdf
NTLJD3182FZPower MOSFET andSchottky Diode-20 V, -4.0 A, mCoolt Single P-Channel& Schottky Barrier Diode, ESDFeatures WDFN 2x2 mm Package with Exposed Drain Pads for Excellenthttp://onsemi.comThermal Conduction Lowest RDS(on) Solution in 2x2 mm Package P-CHANNEL MOSFET Footprint Same as SC-88 PackageV(BR)DSS RDS(on) MaxID Max Low Profile (
Другие MOSFET... NTJS3157N , NTJS4151P , NTJS4405N , NTK3043N , NTK3134N , NTK3139P , NTLGD3502N , NTLGF3402P , IRFP260 , NTLJD3119C , NTLJD4116N , NTLJF3117P , NTLJF4156N , NTLJS2103P , NTLJS3113P , NTLJS4114N , QM3098M6 .
