NTLJF4156N - описание и поиск аналогов

 

NTLJF4156N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTLJF4156N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.71 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: WDFN6

Аналог (замена) для NTLJF4156N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTLJF4156N даташит

 ..1. Size:99K  onsemi
ntljf4156n ntljf4156nt1g ntljf4156ntag.pdfpdf_icon

NTLJF4156N

NTLJF4156N Power MOSFET and Schottky Diode 30 V, 4.6 A, mCool] N-Channel, with 2.0 A Schottky Barrier Diode, 2x2 mm http //onsemi.com WDFN Package MOSFET Features V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX (Note 1) WDFN Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent Thermal Conduction 70 mW @ 4.5 V Co-Packaged MOSFET and Schottky For Easy Circuit Layout 30 V 90 mW @ 2.5 V 4.6 A RD

 ..2. Size:143K  onsemi
ntljf4156n.pdfpdf_icon

NTLJF4156N

NTLJF4156N MOSFET Power, N-Channel with Schottky Barrier Diode, Schottky Diode, mCool, WDFN http //onsemi.com 2X2 mm MOSFET 30 V, 4.6 A, 2.0 A V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX (Note 1) 70 mW @ 4.5 V Features 30 V 90 mW @ 2.5 V 4.6 A WDFN Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent Thermal Conduction 125 mW @ 1.8 V Co-Packaged MOSFET and Schottky For Easy Circuit Layo

 9.1. Size:112K  onsemi
ntljf3117p-d ntljf3117pt1g ntljf3117ptag.pdfpdf_icon

NTLJF4156N

NTLJF3117P Power MOSFET and Schottky Diode -20 V, -4.1 A, P-Channel, with 2.0 A Schottky Barrier Diode, 2x2 mm, mCool] Package http //onsemi.com Features MOSFET FETKYt Configuration with MOSFET plus Low Vf Schottky Diode mCOOLt Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX (Note 1) Thermal Conduction 100 mW @ -4.5 V 2x2 mm Footprint Same

 9.2. Size:110K  onsemi
ntljf3118n ntljf3118ntag.pdfpdf_icon

NTLJF4156N

NTLJF3118N Power MOSFET and Schottky Diode 20 V, 4.6 A, mCool] N-Channel, with 2.0 A Schottky Barrier Diode, 2x2 mm http //onsemi.com WDFN Package MOSFET Features V(BR)DSS RDS(on) Max ID Max WDFN 2x2 mm Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent Thermal Conduction 65 mW @ 4.5 V 3.8 A Footprint Same as SC-88 Package 20 V 85 mW @ 2.5 V 2.0 A 1.8 V VGS Rated RDS(o

Другие MOSFET... NTK3134N , NTK3139P , NTLGD3502N , NTLGF3402P , NTLJD3115P , NTLJD3119C , NTLJD4116N , NTLJF3117P , IRF530 , NTLJS2103P , NTLJS3113P , NTLJS4114N , QM3098M6 , NTLUF4189NZ , QN3109M6N , S60N12R , NTMD3P03 .

History: 2SK1939 | CM15N50 | NTMD4840N | AGM402A | NTLJS3113P | SMK730F | TPM5121NEC6

 

 

 

 

↑ Back to Top
.