NTLJS2103P. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: NTLJS2103P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
Тип корпуса: WDFN6
Аналог (замена) для NTLJS2103P
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NTLJS2103P даташит
ntljs2103p.pdf
NTLJS2103P Power MOSFET -12 V, -7.7 A, mCoolt Single P-Channel, 2x2 mm, WDFN Package Features Recommended Replacement Device - NTLUS3A40P http //onsemi.com WDFN Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent Thermal V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX (Note 1) Conduction 2x2 mm Footprint Same as SC-88 Package 25 mW @ -4.5 V -5.9 A Lowest RDS(on) Solution in 2x2 mm Package
ntljs2103ptag ntljs2103ptbg.pdf
NTLJS2103P Power MOSFET -12 V, -7.7 A, mCoolt Single P-Channel, 2x2 mm, WDFN Package Features Recommended Replacement Device - NTLUS3A40P http //onsemi.com WDFN Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent Thermal V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX (Note 1) Conduction 2x2 mm Footprint Same as SC-88 Package 25 mW @ -4.5 V -5.9 A Lowest RDS(on) Solution in 2x2 mm Package
ntljs4114n.pdf
NTLJS4114N Power MOSFET 30 V, 7.8 A, mCoolt Single N-Channel, 2x2 mm WDFN Package Features WDFN Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent Thermal http //onsemi.com Conduction 2x2 mm Footprint Same as SC-88 V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX (Note 1) Lowest RDS(on) in 2x2 mm Package 35 mW @ 4.5 V 1.8 V RDS(on) Rating for Operation at Low Voltage Logic Level Gate 30 V
ntljs17d0p03p8z.pdf
MOSFET - Power, Single P-Channel, WDFN6 -30 V Product Preview NTLJS17D0P03P8Z www.onsemi.com Features Small Footprint (4 mm2) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen-Free/BFR-Free and are RoHS Compliant 11.3 mW @ -10 V -30 V -11.7 A 21.3 mW @ -4.5 V Applications Battery Management
Другие MOSFET... NTK3139P , NTLGD3502N , NTLGF3402P , NTLJD3115P , NTLJD3119C , NTLJD4116N , NTLJF3117P , NTLJF4156N , CS150N03A8 , NTLJS3113P , NTLJS4114N , QM3098M6 , NTLUF4189NZ , QN3109M6N , S60N12R , NTMD3P03 , NTMD4184PF .
History: AGM665D | SVT068R5NSTR | MTP2N35 | MTP20N15EG | STH410N4F7-2AG | H05N60E
History: AGM665D | SVT068R5NSTR | MTP2N35 | MTP20N15EG | STH410N4F7-2AG | H05N60E
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2sa1837 | ksc1845 transistor | irf630 datasheet | mpsa13 equivalent | c5198 | 2sc1969 transistor | bcy21 | s8550 datasheet












