Справочник MOSFET. NTLUF4189NZ

 

NTLUF4189NZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTLUF4189NZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: UDFN6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NTLUF4189NZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:149K  onsemi
 ntluf4189nz ntluf4189nztag.pdf pdf_icon

NTLUF4189NZ

NTLUF4189NZPower MOSFET andSchottky Diode30 V, N-Channel with 0.5 A SchottkyBarrier Diode, 1.6 x 1.6 x 0.55 mmmCoolt PackageFeatureshttp://onsemi.com Low Qg and Capacitance to Minimize Switching LossesMOSFET Low Profile UDFN 1.6x1.6 mm for Board Space SavingV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Low VF Schottky Diode ESD Protected Gate 200 mW @ 4.5 V 1.5 A This i

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SPN2054T252RG | FHF10N65B | 2SK610 | 2SK2525-01 | AP55T10GH-HF | MTB1D7N03ATH8 | HP100N08

 

 
Back to Top

 


 
.