NTLUF4189NZ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTLUF4189NZ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 4.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
Тип корпуса: UDFN6
Аналог (замена) для NTLUF4189NZ
NTLUF4189NZ Datasheet (PDF)
ntluf4189nz ntluf4189nztag.pdf
NTLUF4189NZPower MOSFET andSchottky Diode30 V, N-Channel with 0.5 A SchottkyBarrier Diode, 1.6 x 1.6 x 0.55 mmmCoolt PackageFeatureshttp://onsemi.com Low Qg and Capacitance to Minimize Switching LossesMOSFET Low Profile UDFN 1.6x1.6 mm for Board Space SavingV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Low VF Schottky Diode ESD Protected Gate 200 mW @ 4.5 V 1.5 A This i
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918