NTMD3P03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTMD3P03
Маркировка: ED3P03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.86 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 16 nC
Время нарастания (tr): 16 ns
Выходная емкость (Cd): 170 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.085 Ohm
Тип корпуса: SOIC8
NTMD3P03 Datasheet (PDF)
ntmd3p03 nvmd3p03.pdf
NTMD3P03, NVMD3P03Power MOSFET-3.05 Amps, -30 VoltsDual P-Channel SOIC-8Features High Efficiency Components in a Dual SOIC-8 Package High Density Power MOSFET with Low RDS(on)http://onsemi.com Miniature SOIC-8 Surface Mount Package - Saves Board Space Diode Exhibits High Speed with Soft Recovery IDSS Specified at Elevated TemperatureVDSS RDS(ON) Typ ID Max
ntmd3p03r2.pdf
NTMD3P03R2Power MOSFET-3.05 Amps, -30 VoltsDual P-Channel SOIC-8Features High Efficiency Components in a Dual SOIC-8 Package High Density Power MOSFET with Low RDS(on) http://onsemi.com Miniature SOIC-8 Surface Mount Package - Saves Board Space Diode Exhibits High Speed with Soft RecoveryVDSS RDS(ON) Typ ID Max IDSS Specified at Elevated Temperature Avala
ntmd3p03r2g.pdf
NTMD3P03R2Gwww.VBsemi.twDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.029 at VGS = - 10 V - 7.3 100 % UIS TestedRoHS- 30 17 nCCOMPLIANT0.039 at VGS = - 4.5 V - 6.3APPLICATIONS Load SwitchesS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25Top
ntmd3n08lr2.pdf
NTMD3N08LR2Power MOSFET2.3 Amps, 80 VoltsN-Channel Enhancement-ModeSO-8 Dual Packagehttp://onsemi.comFeatures Ultra Low On-Resistance Provides Higher Efficiency2.3 AMPERES RDS(on) = 0.215 W, VGS = 10 V80 VOLTS RDS(on) = 0.245 W, VGS = 5.0 V Low Reverse Recovery Losses215 mW @ VGS = 5 V (Typ) Internal RG = 50 W Designed for Power Management Solutio
Другие MOSFET... NTLJF4156N , NTLJS2103P , NTLJS3113P , NTLJS4114N , QM3098M6 , NTLUF4189NZ , QN3109M6N , S60N12R , 75N75 , NTMD4184PF , NTMD4820N , NTMD4840N , NTMD4884NF , NTMD5836NL , NTMD5838NL , NTMD6N02R2 , NTMD6N03R2 .
