NTMD3P03 - описание и поиск аналогов

 

NTMD3P03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTMD3P03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.86 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: SOIC8

Аналог (замена) для NTMD3P03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTMD3P03 даташит

 ..1. Size:110K  onsemi
ntmd3p03 nvmd3p03.pdfpdf_icon

NTMD3P03

NTMD3P03, NVMD3P03 Power MOSFET -3.05 Amps, -30 Volts Dual P-Channel SOIC-8 Features High Efficiency Components in a Dual SOIC-8 Package High Density Power MOSFET with Low RDS(on) http //onsemi.com Miniature SOIC-8 Surface Mount Package - Saves Board Space Diode Exhibits High Speed with Soft Recovery IDSS Specified at Elevated Temperature VDSS RDS(ON) Typ ID Max

 0.1. Size:146K  onsemi
ntmd3p03r2.pdfpdf_icon

NTMD3P03

NTMD3P03R2 Power MOSFET -3.05 Amps, -30 Volts Dual P-Channel SOIC-8 Features High Efficiency Components in a Dual SOIC-8 Package High Density Power MOSFET with Low RDS(on) http //onsemi.com Miniature SOIC-8 Surface Mount Package - Saves Board Space Diode Exhibits High Speed with Soft Recovery VDSS RDS(ON) Typ ID Max IDSS Specified at Elevated Temperature Avala

 0.2. Size:868K  cn vbsemi
ntmd3p03r2g.pdfpdf_icon

NTMD3P03

NTMD3P03R2G www.VBsemi.tw Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.029 at VGS = - 10 V - 7.3 100 % UIS Tested RoHS - 30 17 nC COMPLIANT 0.039 at VGS = - 4.5 V - 6.3 APPLICATIONS Load Switches S1 S2 SO-8 S1 1 D1 8 G1 G2 G1 2 D1 7 S2 3 D2 6 G2 4 D2 5 Top

 9.1. Size:159K  onsemi
ntmd3n08lr2.pdfpdf_icon

NTMD3P03

NTMD3N08LR2 Power MOSFET 2.3 Amps, 80 Volts N-Channel Enhancement-Mode SO-8 Dual Package http //onsemi.com Features Ultra Low On-Resistance Provides Higher Efficiency 2.3 AMPERES RDS(on) = 0.215 W, VGS = 10 V 80 VOLTS RDS(on) = 0.245 W, VGS = 5.0 V Low Reverse Recovery Losses 215 mW @ VGS = 5 V (Typ) Internal RG = 50 W Designed for Power Management Solutio

Другие MOSFET... NTLJF4156N , NTLJS2103P , NTLJS3113P , NTLJS4114N , QM3098M6 , NTLUF4189NZ , QN3109M6N , S60N12R , BS170 , NTMD4184PF , NTMD4820N , NTMD4840N , NTMD4884NF , NTMD5836NL , NTMD5838NL , NTMD6N02R2 , NTMD6N03R2 .

History: SL8N100K

 

 

 

 

↑ Back to Top
.