Справочник MOSFET. NTMFS4941N

 

NTMFS4941N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTMFS4941N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 570 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0062 Ohm
   Тип корпуса: SO8FL
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NTMFS4941N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:146K  onsemi
ntmfs4941n.pdfpdf_icon

NTMFS4941N

NTMFS4941NPower MOSFET30 V, 47 A, Single N-Channel, SO-8 FLFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications 6.2 mW @ 10 V30 V 47 A CPU

 0.1. Size:108K  onsemi
ntmfs4941nt1g.pdfpdf_icon

NTMFS4941N

NTMFS4941NPower MOSFET30 V, 47 A, Single N-Channel, SO-8 FLFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications6.2 mW @ 10 V30 V 47 A CP

 6.1. Size:108K  onsemi
ntmfs4943nt1g.pdfpdf_icon

NTMFS4941N

NTMFS4943NPower MOSFET30 V, 41 A, Single N-Channel, SO-8 FLFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses http://onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications7.2 mW @ 10 V CPU Power Deli

 6.2. Size:105K  onsemi
ntmfs4946n.pdfpdf_icon

NTMFS4941N

NTMFS4946NPower MOSFET30 V, 100 A, Single N-Channel, SO-8 FLFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losseshttp://onsemi.com Thermally Enhanced SO8 Package These are Pb-Free DeviceV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications3.4 mW @ 10 V CPU Power Delivery30 V

Другие MOSFET... NTMFS4926N , NTMFS4927N , NTMFS4933N , NTMFS4934N , NTMFS4935N , NTMFS4936N , NTMFS4937N , NTMFS4939N , IRFZ44N , NTMFS4943N , NTMFS5830NL , NTMFS5832NL , NTMFS5834NL , NTMFS5844NL , TK2R9E10PL , NTMS4176P , NTMS4177P .

History: AON6992 | SIHG47N60S | MTM76110 | 9N95 | 2SK1348 | NTD4863N-1G | HGI110N08AL

 

 
Back to Top

 


 
.