NTMS4801N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NTMS4801N
Маркировка: 4801N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.41 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.9 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 25 nC
trⓘ - Время нарастания: 3.7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 288 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: SO8
NTMS4801N Datasheet (PDF)
ntms4801n.pdf

NTMS4801NPower MOSFET30 V, 12 A, N-Channel, SO-8Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses This is a Pb-Free DeviceV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications9.0 mW @ 10 V30 V 12 A DC-DC Converters12.5 mW @ 4.5 V Synchronous MOSFET
ntms4801nr2g.pdf

NTMS4801NPower MOSFET30 V, 12 A, N-Channel, SO-8Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses This is a Pb-Free DeviceV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications9.0 mW @ 10 V30 V 12 A DC-DC Converters12.5 mW @ 4.5 V Synchronous MOSFET
ntms4807n-d ntms4807nr2g.pdf

NTMS4807NPower MOSFET30 V, 14.8 A, N-Channel, SO-8Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losseshttp://onsemi.com This is a Pb-Free DeviceV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications6.1 mW @ 10 V Disk Drives30 V 14.8 A DC-DC Converters 7.5 mW @ 4.5 V Pri
ntms4802n ntms4802nr2g.pdf

NTMS4802NPower MOSFET30 V, 18 A, N-Channel, SO-8Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses This is a Pb-Free DeviceV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications4.0 mW @ 10 V30 V 18 A DC-DC Converters5.5 mW @ 4.5 V Synchronous MOSFET
Другие MOSFET... NTMFS5832NL , NTMFS5834NL , NTMFS5844NL , TK2R9E10PL , NTMS4176P , NTMS4177P , NTMS4503N , NTMS4800N , IRF1404 , NTMS4802N , NTMS4807N , NTMS4816N , NTMS4873NF , NTMS4916N , NTMS4917N , NTMS4920N , NTMS4937N .
History: RQ3E120AT | CEP75N06 | RU60E16R | STW12NA50 | ME7607-G | SM3425NHQA | FTK10N60P
History: RQ3E120AT | CEP75N06 | RU60E16R | STW12NA50 | ME7607-G | SM3425NHQA | FTK10N60P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DH060N07D | DH060N07B | DH060N03R | DH045N06I | DH045N06F | DH045N06E | DH045N06D | DH045N06B | DH045N06 | DH045N04P | DH045N04I | DH045N04F | DH045N04E | DH045N04D | DH045N04B | DH045N04
Popular searches
2sc945 transistor | c2073 transistor | ac176 transistor | mpsa20 | irfp264 | ksc2690 | bc546 datasheet | mpsa06 transistor