Справочник MOSFET. NTMS4917N

 

NTMS4917N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTMS4917N
   Маркировка: 4917N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.28 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8.5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 29 nC
   Время нарастания (tr): 6.3 ns
   Выходная емкость (Cd): 325 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.011 Ohm
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для NTMS4917N

 

 

NTMS4917N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:114K  onsemi
 ntms4917n.pdf

NTMS4917N NTMS4917N

NTMS4917NPower MOSFET30 V, 10.5 A, N-Channel, SO-8Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losseshttp://onsemi.com Optimized for 5 V, 12 V Gate Drives These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXCompliant11 mW @ 10 V

 0.1. Size:103K  onsemi
 ntms4917nr2g.pdf

NTMS4917N NTMS4917N

NTMS4917NPower MOSFET30 V, 10.5 A, N-Channel, SO-8Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losseshttp://onsemi.com Optimized for 5 V, 12 V Gate Drives These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXCompliant11 mW @ 10 V

 7.1. Size:136K  onsemi
 ntms4916n.pdf

NTMS4917N NTMS4917N

NTMS4916NPower MOSFET30 V, 11.6 A, N-Channel, SO-8Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losseshttp://onsemi.com Optimized for 5 V, 12 V Gate Drives These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXCompliant9 mW @ 10 VA

 7.2. Size:109K  onsemi
 ntms4916nr2g.pdf

NTMS4917N NTMS4917N

NTMS4916NPower MOSFET30 V, 11.6 A, N-Channel, SO-8Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losseshttp://onsemi.com Optimized for 5 V, 12 V Gate Drives These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXCompliant9 mW @ 10 VA

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top