Справочник MOSFET. NTMS4937N

 

NTMS4937N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTMS4937N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 715 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NTMS4937N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:133K  onsemi
 ntms4937n.pdf pdf_icon

NTMS4937N

NTMS4937NPower MOSFET30 V, 13.6 A, N-Channel, SO-8Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losseshttp://onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications DC-DC Converters6.5 mW @ 10 V30 V

 0.1. Size:133K  onsemi
 ntms4937nr2g.pdf pdf_icon

NTMS4937N

NTMS4937NPower MOSFET30 V, 13.6 A, N-Channel, SO-8Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losseshttp://onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications DC-DC Converters6.5 mW @ 10 V30 V

 7.1. Size:197K  onsemi
 ntms4939n.pdf pdf_icon

NTMS4937N

NTMS4939NMOSFET Power,N-Channel, SO-830 V, 12.5 AFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseshttp://onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant8.4 mW @ 10 V30 V 12.5 AApplications11 mW @

 7.2. Size:132K  onsemi
 ntms4939nr2g.pdf pdf_icon

NTMS4937N

NTMS4939NPower MOSFET30 V, 12.5 A, N-Channel, SO-8Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losseshttp://onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications DC-DC Converters8.4 mW @ 10 V30 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... NTMS4801N , NTMS4802N , NTMS4807N , NTMS4816N , NTMS4873NF , NTMS4916N , NTMS4917N , NTMS4920N , IRFB4227 , NTMS4939N , NTMS5835NL , NTMS5838NL , NTMS5P02 , NTMS7N03R2 , NTNUS3171PZ , NTP2955 , NTP5404N .

History: WMM80R1K5S | SMK0460D | STD10NF10-1 | NTP2955 | MPSA65M1K6 | PMN70XPE | LR024N

 

 
Back to Top

 


 
.