NTMS5P02 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NTMS5P02
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.85 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 510 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm
Тип корпуса: SOIC8
Аналог (замена) для NTMS5P02
NTMS5P02 Datasheet (PDF)
ntms5p02 nvms5p02.pdf

NTMS5P02, NVMS5P02MOSFET Power, Single,P-Channel, EnhancementMode, SOIC-8-5.4 A, -20 Vhttp://onsemi.comFeaturesVDSS RDS(ON) TYP ID MAX High Density Power MOSFET with Ultra Low RDS(on)Providing Higher Efficiency-20 V26 mW @ -4.5 V -5.4 A Miniature SOIC-8 Surface Mount Package - Saves Board Space Diode Exhibits High Speed with Soft Recovery IDSS Specifi
ntms5p02r2 ntms5p02r2g ntms5p02r2sg.pdf

NTMS5P02R2Power MOSFET-5.4 Amps, -20 VoltsP-Channel Enhancement-ModeSingle SOIC-8 Packagehttp://onsemi.comFeaturesVDSS RDS(ON) TYP ID MAX High Density Power MOSFET with Ultra Low RDS(on)Providing Higher Efficiency-20 V26 mW @ -4.5 V -5.4 A Miniature SOIC-8 Surface Mount Package - Saves Board Space Diode Exhibits High Speed with Soft Recovery IDSS Specifie
ntms5838nlr2g.pdf

NTMS5838NLPower MOSFET40 V, 7.5 A, 20 mWFeatures Low RDS(on) Low Capacitancehttp://onsemi.com Optimized Gate Charge These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise stated)20 mW @ 10 V40 V 7.5 AParameter Symbol Value Unit36.5 mW @ 4.5 VDrain-to-Source Voltage
ntms5835nlr2g.pdf

NTMS5835NLPower MOSFET40 V, 12 A, 10 mWFeatures Low RDS(on) Low Capacitancehttp://onsemi.com Optimized Gate Charge These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise stated)10 mW @ 10 V40 V 12 AParameter Symbol Value Unit14 mW @ 4.5 VDrain-to-Source Voltage VDSS
Другие MOSFET... NTMS4873NF , NTMS4916N , NTMS4917N , NTMS4920N , NTMS4937N , NTMS4939N , NTMS5835NL , NTMS5838NL , IRFB4115 , NTMS7N03R2 , NTNUS3171PZ , NTP2955 , NTP5404N , NTP5863N , NTP5864N , NTP6410AN , NTP6411AN .
History: SVSP7N70FJDD2 | RU6581R
History: SVSP7N70FJDD2 | RU6581R



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ90N02A | JMTQ60N04B | JMTQ440P04A | JMTQ4407A | JMTQ380C03D | JMTQ3400D | JMTQ320N10A | JMTQ3010D | JMTQ3008A | JMTQ3006C | JMTQ3006B | JMTQ3005C | JMTQ3005A | JMTQ3003A | JMTQ250C03D | JMTLA3134K
Popular searches
2sc1061 | a1023 | d313 transistor | 2sa1302 | 2sd315 | a1013 | 2sb554 | 2sd2560