Справочник MOSFET. NTP5863N

 

NTP5863N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTP5863N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 97 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 55 nC
   trⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0078 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB

 Аналог (замена) для NTP5863N

 

 

NTP5863N Datasheet (PDF)

 0.1. Size:100K  onsemi
 ntp5863ng.pdf

NTP5863N NTP5863N

NTP5863NN-Channel Power MOSFET60 V, 97 A, 7.8 mWFeatures Low RDS(on) High Current Capabilityhttp://onsemi.com 100% Avalanche Tested These Devices are Pb-Free, Halogen Free and are RoHS CompliantV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX60 V 7.8 mW @ 10 V 97 AMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C Unless otherwise specified)Parameter Symbol Value UnitDDrain-to-Source Voltage VDSS 6

 8.1. Size:101K  onsemi
 ntp5864ng.pdf

NTP5863N NTP5863N

NTP5864NPower MOSFET60 V, 63 A, 12.4 mWFeatures Low RDS(on) High Current Capabilityhttp://onsemi.com Avalanche Energy SpecifiedID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSV(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1)Compliant60 V 12.4 m @ 10 V 63 AMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise stated)N-ChannelParameter Symbol Value UnitsDDra

 8.2. Size:137K  onsemi
 ntd5862n ntp5862n.pdf

NTP5863N NTP5863N

NTD5862N, NTP5862NMOSFET Power,N-Channel60 V, 98 A, 5.7 mWFeatureswww.onsemi.com Low RDS(on)V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX High Current Capability60 V 5.7 mW @ 10 V 98 A 100% Avalanche Tested These Devices are Pb-Free, Halogen Free and are RoHS CompliantDMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)N-ChannelParameter Symbol Value UnitGDrain-t

 8.3. Size:113K  onsemi
 ntb5860n ntp5860n nvb5860n.pdf

NTP5863N NTP5863N

NTB5860N, NTP5860N,NVB5860NN-Channel Power MOSFET60 V, 220 A, 3.0 mWFeatureshttp://onsemi.com Low RDS(on) High Current Capability V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX 100% Avalanche Tested60 V 3.0 mW @ 10 V 220 A These Devices are Pb-Free, Halogen Free and are RoHS Compliant NVB Prefix for Automotive and Other Applications RequiringDUnique Site and Control Change

 8.4. Size:73K  onsemi
 ntp5864n.pdf

NTP5863N NTP5863N

NTP5864NPower MOSFET60 V, 63 A, 12.4 mWFeatures Low RDS(on) High Current Capabilitywww.onsemi.com Avalanche Energy SpecifiedID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSV(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1)Compliant60 V 12.4 m @ 10 V 63 AMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise stated)N-ChannelParameter Symbol Value UnitsDDrain-

Другие MOSFET... NTMS4939N , NTMS5835NL , NTMS5838NL , NTMS5P02 , NTMS7N03R2 , NTNUS3171PZ , NTP2955 , NTP5404N , IRF9540 , NTP5864N , NTP6410AN , NTP6411AN , NTP6412AN , NTP6413AN , NTR0202PL , NTR1P02 , NTR1P02LT1 .

 

 
Back to Top