NTP5864N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NTP5864N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 63 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 6.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 189 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0124 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
NTP5864N Datasheet (PDF)
ntp5864n.pdf

NTP5864NPower MOSFET60 V, 63 A, 12.4 mWFeatures Low RDS(on) High Current Capabilitywww.onsemi.com Avalanche Energy SpecifiedID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSV(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1)Compliant60 V 12.4 m @ 10 V 63 AMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise stated)N-ChannelParameter Symbol Value UnitsDDrain-
ntp5864ng.pdf

NTP5864NPower MOSFET60 V, 63 A, 12.4 mWFeatures Low RDS(on) High Current Capabilityhttp://onsemi.com Avalanche Energy SpecifiedID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSV(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1)Compliant60 V 12.4 m @ 10 V 63 AMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise stated)N-ChannelParameter Symbol Value UnitsDDra
ntd5862n ntp5862n.pdf

NTD5862N, NTP5862NMOSFET Power,N-Channel60 V, 98 A, 5.7 mWFeatureswww.onsemi.com Low RDS(on)V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX High Current Capability60 V 5.7 mW @ 10 V 98 A 100% Avalanche Tested These Devices are Pb-Free, Halogen Free and are RoHS CompliantDMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)N-ChannelParameter Symbol Value UnitGDrain-t
ntb5860n ntp5860n nvb5860n.pdf

NTB5860N, NTP5860N,NVB5860NN-Channel Power MOSFET60 V, 220 A, 3.0 mWFeatureshttp://onsemi.com Low RDS(on) High Current Capability V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX 100% Avalanche Tested60 V 3.0 mW @ 10 V 220 A These Devices are Pb-Free, Halogen Free and are RoHS Compliant NVB Prefix for Automotive and Other Applications RequiringDUnique Site and Control Change
Другие MOSFET... NTMS5835NL , NTMS5838NL , NTMS5P02 , NTMS7N03R2 , NTNUS3171PZ , NTP2955 , NTP5404N , NTP5863N , IRFP260 , NTP6410AN , NTP6411AN , NTP6412AN , NTP6413AN , NTR0202PL , NTR1P02 , NTR1P02LT1 , NTR2101P .
History: 2N6756JANTX | RUS100N02 | STP53N06 | HY050N08B | IPB023N04N | 2SJ377 | AP9435GJ-HF
History: 2N6756JANTX | RUS100N02 | STP53N06 | HY050N08B | IPB023N04N | 2SJ377 | AP9435GJ-HF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sb554 | 2sd2560 | 2sc2078 transistor | bc558 datasheet | p75nf75 mosfet | ao4407a | mpsa06 datasheet | bc548 pinout