NTP5864N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NTP5864N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 63 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 6.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 189 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0124 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для NTP5864N
NTP5864N Datasheet (PDF)
ntp5864n.pdf

NTP5864NPower MOSFET60 V, 63 A, 12.4 mWFeatures Low RDS(on) High Current Capabilitywww.onsemi.com Avalanche Energy SpecifiedID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSV(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1)Compliant60 V 12.4 m @ 10 V 63 AMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise stated)N-ChannelParameter Symbol Value UnitsDDrain-
ntp5864ng.pdf

NTP5864NPower MOSFET60 V, 63 A, 12.4 mWFeatures Low RDS(on) High Current Capabilityhttp://onsemi.com Avalanche Energy SpecifiedID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSV(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1)Compliant60 V 12.4 m @ 10 V 63 AMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise stated)N-ChannelParameter Symbol Value UnitsDDra
ntd5862n ntp5862n.pdf

NTD5862N, NTP5862NMOSFET Power,N-Channel60 V, 98 A, 5.7 mWFeatureswww.onsemi.com Low RDS(on)V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX High Current Capability60 V 5.7 mW @ 10 V 98 A 100% Avalanche Tested These Devices are Pb-Free, Halogen Free and are RoHS CompliantDMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)N-ChannelParameter Symbol Value UnitGDrain-t
ntb5860n ntp5860n nvb5860n.pdf

NTB5860N, NTP5860N,NVB5860NN-Channel Power MOSFET60 V, 220 A, 3.0 mWFeatureshttp://onsemi.com Low RDS(on) High Current Capability V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX 100% Avalanche Tested60 V 3.0 mW @ 10 V 220 A These Devices are Pb-Free, Halogen Free and are RoHS Compliant NVB Prefix for Automotive and Other Applications RequiringDUnique Site and Control Change
Другие MOSFET... NTMS5835NL , NTMS5838NL , NTMS5P02 , NTMS7N03R2 , NTNUS3171PZ , NTP2955 , NTP5404N , NTP5863N , 2N7000 , NTP6410AN , NTP6411AN , NTP6412AN , NTP6413AN , NTR0202PL , NTR1P02 , NTR1P02LT1 , NTR2101P .
History: 2N6764JTXV | 2N6766 | PHP18N20E
History: 2N6764JTXV | 2N6766 | PHP18N20E



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ90N02A | JMTQ60N04B | JMTQ440P04A | JMTQ4407A | JMTQ380C03D | JMTQ3400D | JMTQ320N10A | JMTQ3010D | JMTQ3008A | JMTQ3006C | JMTQ3006B | JMTQ3005C | JMTQ3005A | JMTQ3003A | JMTQ250C03D | JMTLA3134K
Popular searches
2sb554 | 2sd2560 | 2sc2078 transistor | bc558 datasheet | p75nf75 mosfet | ao4407a | mpsa06 datasheet | bc548 pinout