Справочник MOSFET. NTP6410AN

 

NTP6410AN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTP6410AN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 188 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 76 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 120 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 170 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для NTP6410AN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTP6410AN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:144K  onsemi
ntb6410an ntp6410an.pdfpdf_icon

NTP6410AN

NTB6410AN, NTP6410ANN-Channel Power MOSFET100 V, 76 A, 13 mWFeatures Low RDS(on) High Current Capabilityhttp://onsemi.com 100% Avalanche Tested These are Pb-Free DevicesID MAXV(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1)MAXIMUM RATINGS (TJ = 25C Unless otherwise specified)100 V 13 mW @ 10 V 76 AParameter Symbol Value UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 100 VN-ChannelG

 ..2. Size:81K  onsemi
ntb6410an ntp6410an nvb6410an.pdfpdf_icon

NTP6410AN

NTB6410AN, NTP6410AN,NVB6410ANN-Channel Power MOSFET100 V, 76 A, 13 mWFeatureswww.onsemi.com Low RDS(on) High Current CapabilityID MAX 100% Avalanche TestedV(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1) NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring100 V 13 mW @ 10 V 76 AUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualified and PPAP CapableN-Channel

 0.1. Size:138K  onsemi
ntb6410ang ntp6410ang.pdfpdf_icon

NTP6410AN

NTB6410AN, NTP6410AN,NVB6410ANN-Channel Power MOSFET100 V, 76 A, 13 mWFeatureshttp://onsemi.com Low RDS(on) High Current CapabilityID MAX 100% Avalanche TestedV(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1) NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring100 V 13 mW @ 10 V 76 AUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualified and PPAP CapableN-Chan

 8.1. Size:138K  onsemi
ntb6412ang ntp6412ang.pdfpdf_icon

NTP6410AN

NTB6412AN, NTP6412AN,NVB6412ANN-Channel Power MOSFET100 V, 58 A, 18.2 mWFeatures Low RDS(on)http://onsemi.com High Current Capability 100% Avalanche TestedID MAX NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring V(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1)Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101100 V 18.2 mW @ 10 V 58 AQualified and PPAP Capable

Другие MOSFET... NTMS5838NL , NTMS5P02 , NTMS7N03R2 , NTNUS3171PZ , NTP2955 , NTP5404N , NTP5863N , NTP5864N , IRFP260 , NTP6411AN , NTP6412AN , NTP6413AN , NTR0202PL , NTR1P02 , NTR1P02LT1 , NTR2101P , NTR4003N .

History: SDF9N100SXH | SDF9N100JEB-D

 

 
Back to Top

 


 
.