Справочник MOSFET. NTZD3155C

 

NTZD3155C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTZD3155C
   Маркировка: TW
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.25 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 6 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.54 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 1.5(1.7) nC
   Время нарастания (tr): 4(12) ns
   Выходная емкость (Cd): 13(15) pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.55(0.9) Ohm
   Тип корпуса: SOT563

 Аналог (замена) для NTZD3155C

 

 

NTZD3155C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:215K  onsemi
 ntzd3155c.pdf

NTZD3155C NTZD3155C

NTZD3155CMOSFET Small Signal,Complementary with ESDProtection, SOT-56320 V, 540 mA / -430 mAwww.onsemi.comFeaturesID Max Leading Trench Technology for Low RDS(on) PerformanceV(BR)DSS RDS(on) Typ (Note 1) High Efficiency System Performance0.4 W @ 4.5 V Low Threshold VoltageN-Channel0.5 W @ 2.5 V 540 mA20 V ESD Protected Gate0.7 W @ 1.8 V Sma

 0.1. Size:111K  onsemi
 ntzd3155c-d.pdf

NTZD3155C NTZD3155C

NTZD3155CSmall Signal MOSFETComplementary 20 V, 540 mA / -430 mA,with ESD protection, SOT-563 package.Features http://onsemi.com Leading Trench Technology for Low RDS(on) PerformanceID Max High Efficiency System PerformanceV(BR)DSS RDS(on) Typ (Note 1) Low Threshold Voltage0.4 W @ 4.5 V ESD Protected Gate N-Channel0.5 W @ 2.5 V 540 mA20 V Small Footpri

 0.2. Size:114K  onsemi
 ntzd3155ct1g.pdf

NTZD3155C NTZD3155C

NTZD3155CSmall Signal MOSFETComplementary 20 V, 540 mA / -430 mA,with ESD protection, SOT-563 package.Featureshttp://onsemi.com Leading Trench Technology for Low RDS(on) Performance High Efficiency System PerformanceID Max Low Threshold Voltage V(BR)DSS RDS(on) Typ (Note 1) ESD Protected Gate0.4 W @ 4.5 VN-Channel0.5 W @ 2.5 V 540 mA Small Footprint 1.

 0.3. Size:1681K  cn vbsemi
 ntzd3155ct2g.pdf

NTZD3155C NTZD3155C

NTZD3155CT2Gwww.VBsemi.twN- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.020 at VGS = 10 V 0.6 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 200.025 at VGS = 4.5 V0.55 100 % Rg Tested0.040 at VGS = - 10 V - 0.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECP-Channel - 200.045 at

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top