Справочник MOSFET. NUS5530MN

 

NUS5530MN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NUS5530MN
   Маркировка: 5530
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.3 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.2 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.9 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 9.7 nC
   Время нарастания (tr): 22 ns
   Выходная емкость (Cd): 400 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.06 Ohm
   Тип корпуса: DFN8

 Аналог (замена) для NUS5530MN

 

 

NUS5530MN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:163K  onsemi
nus5530mn.pdf

NUS5530MN NUS5530MN

NUS5530MNIntegrated Power MOSFETwith PNP Low VCE(sat)Switching TransistorThis integrated device represents a new level of safety andboard-space reduction by combining the 20 V P-Channel FET with ahttp://onsemi.comPNP Silicon Low VCE(sat) switching transistor. This newly integratedproduct provides higher efficiency and accuracy for battery poweredportable electronics. 1 8Feat

 0.1. Size:162K  onsemi
nus5530mnr2g.pdf

NUS5530MN NUS5530MN

NUS5530MNIntegrated Power MOSFETwith PNP Low VCE(sat)Switching TransistorThis integrated device represents a new level of safety andboard-space reduction by combining the 20 V P-Channel FET with ahttp://onsemi.comPNP Silicon Low VCE(sat) switching transistor. This newly integratedproduct provides higher efficiency and accuracy for battery poweredportable electronics. 1 8Feat

 8.1. Size:146K  onsemi
nus5531mt.pdf

NUS5530MN NUS5530MN

NUS5531MTMain Switch PowerMOSFET and SingleCharging BJT-12 V, -6.2 A, Single P-Channel FET withhttp://onsemi.comSingle PNP low Vce(sat) Transistor,3x3 mm WDFN PackageMOSFETV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAXThis device integrates one high performance power MOSFET andone low Vce(sat) transistor, greatly reducing the layout space and 32 mW @ -4.5 V-12 V -6.2 Aoptimizing charging

Другие MOSFET... NTUD3170NZ , NTZD3152P , NTZD3154N , NTZD3155C , NTZD5110N , NTZS3151P , FDB075N15AF085 , NUS3116MT , IRFP250 , NUS5531MT , NVD5803N , NVD5862N , NVD5863NL , NVD5865NL , NVD5867NL , NVD5890N , NVMFD5877NL .

 

 
Back to Top