NVMFD5877NL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NVMFD5877NL
Маркировка: 5877NL_5877LW
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 11 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 15.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm
Тип корпуса: SO8FL
Аналог (замена) для NVMFD5877NL
NVMFD5877NL Datasheet (PDF)
nvmfd5877nl.pdf

NVMFD5877NLMOSFET Power, DualN-Channel, Logic Level,Dual SO8FL60 V, 39 mW, 17 Ahttp://onsemi.comFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction LossesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Low Capacitance to Minimize Driver Losses39 mW @ 10 V NVMFD5877NLWF - Wettable Flanks Option for Enhanced Optical60 V 17 AInspection60 mW @ 4.5 V AEC-Q101 Qualified and PPAP Cap
nvmfd5873nl.pdf

NVMFD5873NLPower MOSFET60 V, 13 mW, 58 A, Dual N-Channel LogicLevel, Dual SO-8FLFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Designshttp://onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX NVMFD5873NLWF - Wettable Flanks Option for Enhanced Optical13 mW @ 10 VInspection60 V 58 A16.5
nvmfd5875nl.pdf

NVMFD5875NLMOSFET Power, DualN-Channel, Logic Level,Dual SO8FL60 V, 33 mW, 22 Awww.onsemi.comFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction LossesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Low Capacitance to Minimize Driver Losses33 mW @ 10 V NVMFD5875NLWF - Wettable Flanks Option for Enhanced Optical60 V 22 A45 mW @ 4.5 VInspection AEC-Q101 Qualified and PPAP Capabl
nvmfd5853n.pdf

NVMFD5853N,NVMFD5853NWFPower MOSFET40 V, 10 mW, 53 A, Dual N-Channel, DualSO-8FLFeatureshttp://onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Designs Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX NVMFD5853NWF - Wettable Flanks Product40 V 10 mW @ 10 V 53 A AEC-Q101 Qualified and PPAP Capabl
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: FCH47N60
History: FCH47N60



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMPF8N60BJ | JMPF840BJ | JMPF7N65BJ | JMPF630BJ | JMPF5N50BJ | JMPF4N65BJ | JMPF4N60BJ | JMPF25N50BJ | JMPF20N65BJ | JMPF20N60BJ | JMSL0303TU | JMSL0303TG | JMSL0303AU | JMSL0303AK | JMSL0303AG | JMSL0315AK
Popular searches
2sk170 datasheet | 2n7000 equivalent | tip31 | tip122 transistor | 2sc1079 | 2sc1815 equivalent | 2sa1220 | 2sa940