2N6768JTX - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2N6768JTX
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 190 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
Тип корпуса: TO204
Аналог (замена) для 2N6768JTX
2N6768JTX технические параметры
2n6768 irf350.pdf
PD - 90339F IRF350 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6768 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6768 THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF MIL-PRF-19500/543] 400V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF350 400V 0.300 14A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique proces
2n6764 2n6766 2n6768 2n6770.pdf
2N6764, JANTX2N6764, JANTXV2N6764 2N6768, JANTX2N6768, JANTXV2N6768 2N6766, JANTX2N6766, JANTXV2N6766 2N6770, JANTX2N6770, JANTXV2N6770 JANTX, JANTXV POWER MOSFET IN TO-204 PACKAGE, QUALIFIED TO MIL-PRF-19500/543 100V Thru 500V, Up to 38A, N-Channel, Enhancement Mode MOSFET Power Transistor FEATURES Low RDS(on) Ease of Paralleling Qualified to MIL-PRF-19500/543 DESCRIPTION
Другие MOSFET... 2N6766JANTXV , 2N6766JTX , 2N6766JTXV , 2N6767 , 2N6768 , 2N6768JAN , 2N6768JANTX , 2N6768JANTXV , STP65NF06 , 2N6768JTXV , 2N6769 , 2N6770 , 2N6770JANTX , 2N6770JANTXV , 2N6770JTX , 2N6770JTXV , 2N6781 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP75N04K | AP70P03K | AP70N100K | AP6900 | AP6802 | AP6800 | AP6242 | AP60P20K | AP60N04Q | AP6009S | AP6007S | AP5N50K | AP5N20K | AP5N10S | AP5N10M | AP50P20Q
Popular searches
a733 transistor | mpsa92 | tip142 | d882 | irf740 datasheet | ksa992 | irfb4227 | irfb4110




