TF252 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TF252
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.03 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 0.1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.001 A
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10000 Ohm
Тип корпуса: USFP
TF252 Datasheet (PDF)
tf252.pdf
Ordering number : ENA0841BTF252N-Channel JFEThttp://onsemi.com20V, 140 to 350 A, 1.4mS, USFPFeatures High gain : GV=1.0dB typ (VCC=2V, RL=2.2k , Cin=5pF, VIN=10mV, f=1kHz) Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products [1.0mm 0.6mm 0.27mm (max 0.3mm)] Best suited for use in Electret Condenser Microphone for audio equipments and telephone
tf252th.pdf
Ordering number : ENA0842ATF252THN-Channel JFEThttp://onsemi.com20V, 140 to 350 A, 1.4mS, VTFPFeatures High gain : GV=1.0dB typ (VCC=2V, RL=2.2k , Cin=5pF, VIN=10mV, f=1kHz) Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products Best suited for use in electret condenser microphone for audio equipments and telephones Excellent voltage characteristi
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918