FMD21-05QC. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FMD21-05QC
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm
Тип корпуса: ISOPLUSI4
Аналог (замена) для FMD21-05QC
- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам
FMD21-05QC даташит
fdm21-05qc fmd21-05qc fdm21-05qc.pdf
FMD 21-05QC FDM 21-05QC ID25 = 21 A Q-Class VDSS = 500 V Power MOSFETs RDSon typ. = 190 m Chopper Topologies in ISOPLUS i4-PACTM FMD FDM 3 3 Preliminary data 5 4 4 1 1 5 2 2 Features MOSFET Q-Class Power MOSFET technology Symbol Conditions Maximum Ratings - low RDSon - low gate charge for high frequency VDSS TVJ = 25 C to 150 C 500 V operat
Другие MOSFET... TF256TH , WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , IRFP250N , FMD40-06KC , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: HAF1008S | HAF1008L | EMZB08P03H | CS30N20FA9R | AOT66613L | AOSP21313C | AOSP21311C | AOB66918L | AO3415C | AOTF20N40L | AOTF11N60L | AOT11N60L | AONS21303C | AOI280A60 | AOB66914L | AO3485C
Popular searches
mn2488 datasheet | c2026 transistor | 2n3903 transistor | 2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor | 2sd330 | 20n60

