FMM22-06PF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FMM22-06PF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 58 nC
trⓘ - Время нарастания: 23 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
Тип корпуса: ISOPLUSI4
Аналог (замена) для FMM22-06PF
FMM22-06PF Datasheet (PDF)
fmm22-06pf.pdf
Advance Technical InformationPolarHVTM HiPerFETVDSS = 600VFMM22-06PFN-Channel Power MOSFETID25 = 12APhase leg Topology RDS(on) 350m 33T1trr(max) 200ns5544T2112 ISOPLUS i4-PakTM2Symbol Test Conditions Maximum RatingsTJ -55 ... +150 CTJM 150 C1Tstg -55 ... +150 CIsolated TabVISO
fmm22-05pf.pdf
Advance Technical InformationPolarHVTM HiPerFETVDSS = 500VFMM22-05PFN-Channel Power MOSFETID25 = 13APhase Leg Topology RDS(on) 270m 33T1trr(max) 200ns5544T2ISOPLUS i4-PakTM1122Symbol Test Conditions Maximum RatingsTJ -55 ... +150 CTJM 150 C1Tstg -55 ... +150 CIsolated TabVIS
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918