FMP26-02P datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: FMP26-02P 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
Тип корпуса: ISOPLUSI4
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для FMP26-02P
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
FMP26-02P даташит
fmp26-02p.pdf
Preliminary Technical Information P CH. N CH. PolarTM P & N-Channel FMP26-02P Power MOSFET VDSS - 200V 200V Common Drain Topology 3 4 ID25 - 17A 26A T1 5 5 RDS(on) 170m 60m 4 3 trr(typ) 240ns 150ns T2 (Electrically Isolated Tab) 1 1 2 2 ISOPLUS i4-PakTM Symbol Test Conditions Maximum Ratings TJ -55 ... +150 C TJM 150 C Tstg -55 ...
Другие IGBT... FMK75-01F, FMM110-015X2F, FMM150-0075X2F, FMM22-05PF, FMM22-06PF, FMM50-025TF, FMM60-02TF, FMM75-01F, 4435, FMP36-015P, FMP76-01T, GMM3x100-01X1-SMD, FDMS0306AS, GMM3x120-0075X2-SMD, FDMS0300S, GMM3x160-0055X2-SMD, FDMC7200S
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS65N25AKR | AOL1718 | BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q
Popular searches
tip41c transistor datasheet | 2n3907 | 12n60 | mp42b transistor | c1675 transistor | c5198 transistor | ru7088r | 2sa733 replacement

