FMP26-02P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FMP26-02P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
Тип корпуса: ISOPLUSI4
Аналог (замена) для FMP26-02P
FMP26-02P Datasheet (PDF)
fmp26-02p.pdf

Preliminary Technical Information P CH. N CH.PolarTM P & N-ChannelFMP26-02PPower MOSFETVDSS - 200V 200VCommon Drain Topology34 ID25 - 17A 26AT155 RDS(on) 170m 60m 43trr(typ) 240ns 150nsT2(Electrically Isolated Tab) 1122ISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsTJ -55 ... +150 CTJM 150 CTstg -55 ...
Другие MOSFET... FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF , FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , AON7410 , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S .
History: IPD70N04S3-07
History: IPD70N04S3-07



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
tip41c transistor datasheet | 2n3907 | 12n60 | mp42b transistor | c1675 transistor | c5198 transistor | ru7088r | 2sa733 replacement