FMP26-02P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FMP26-02P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 56 nC
trⓘ - Время нарастания: 21 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
Тип корпуса: ISOPLUSI4
FMP26-02P Datasheet (PDF)
fmp26-02p.pdf
Preliminary Technical Information P CH. N CH.PolarTM P & N-ChannelFMP26-02PPower MOSFETVDSS - 200V 200VCommon Drain Topology34 ID25 - 17A 26AT155 RDS(on) 170m 60m 43trr(typ) 240ns 150nsT2(Electrically Isolated Tab) 1122ISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsTJ -55 ... +150 CTJM 150 CTstg -55 ...
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918