GWM100-01X1-SL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: GWM100-01X1-SL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 15 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 90 A
Время нарастания (tr): 55 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0085 Ohm
Тип корпуса: ISOPLUSDIL
Аналог (замена) для GWM100-01X1-SL
GWM100-01X1-SL Datasheet (PDF)
1.1. gwm100-01x1-smd.pdf 
Size:290K _ixys
GWM 100-01X1VDSS = 100 VThree phase full BridgeID25 = 90 Awith Trench MOSFETsRDSon typ. = 7.5 mWin DCB isolated high current packageL+G3 G5G1S3 S5S1L1L2L3Straight leads Surface Mount DeviceG4 G6G2S4S6S2L-ApplicationsMOSFETsAC drivesSymbol Conditions Maximum Ratings in automobilesVDSS TJ = 25C to 150C 100 V - electric power steering
6.1. gwm100-0085x1-sl.pdf Size:197K _ixys
GWM100-0085X1VDSS = 85 VThree phase full BridgeID25 = 103 Awith Trench MOSFETsRDSon typ. = 5.5 mWin DCB isolated high current packageL+G3 G5G1S3 S5S1L1L2L3Straight leads Surface Mount DeviceG4 G6G2S4S6S2L-ApplicationsMOSFETsAC drivesSymbol Conditions Maximum Ratings in automobilesVDSS TJ = 25C to 150C 85 V - electric power steering
6.2. gwm100-0085x1-smd.pdf Size:182K _ixys
GWM100-0085X1VDSS = 85 VThree phase full BridgeID25 = 103 Awith Trench MOSFETsRDSon typ. = 5.5 mWin DCB isolated high current packageL+G3 G5G1S3 S5S1L1L2L3Straight leads Surface Mount DeviceG4 G6G2S4S6S2L-ApplicationsMOSFETsAC drivesSymbol Conditions Maximum Ratings in automobilesVDSS TJ = 25C to 150C 85 V - electric power steering
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF2807 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
