GWM100-01X1-SL - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

GWM100-01X1-SL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: GWM100-01X1-SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 15 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 90 A
   Время нарастания (tr): 55 ns
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUSDIL

Аналог (замена) для GWM100-01X1-SL

GWM100-01X1-SL Datasheet (PDF)

1.1. Size:290K ixys
gwm100-01x1-smd.pdf

GWM 100-01X1VDSS = 100 VThree phase full BridgeID25 = 90 Awith Trench MOSFETsRDSon typ. = 7.5 mWin DCB isolated high current packageL+G3 G5G1S3 S5S1L1L2L3Straight leads Surface Mount DeviceG4 G6G2S4S6S2L-ApplicationsMOSFETsAC drivesSymbol Conditions Maximum Ratings in automobilesVDSS TJ = 25C to 150C 100 V - electric power steering

6.1. Size:182K ixys
gwm100-0085x1-smd.pdf

GWM100-0085X1VDSS = 85 VThree phase full BridgeID25 = 103 Awith Trench MOSFETsRDSon typ. = 5.5 mWin DCB isolated high current packageL+G3 G5G1S3 S5S1L1L2L3Straight leads Surface Mount DeviceG4 G6G2S4S6S2L-ApplicationsMOSFETsAC drivesSymbol Conditions Maximum Ratings in automobilesVDSS TJ = 25C to 150C 85 V - electric power steering

6.2. Size:197K ixys
gwm100-0085x1-sl.pdf

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Список транзисторов

Обновления

Справочник MOSFET. GWM100-01X1-SL

GWM100-01X1-SL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

GWM100-01X1-SL Datasheet (PDF)

Список транзисторов

Обновления

AllTransistors(C)2015