IXFA76N15T2 - описание и поиск аналогов

 

IXFA76N15T2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXFA76N15T2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 76 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 69 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для IXFA76N15T2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFA76N15T2 даташит

 ..1. Size:180K  ixys
 ixfa76n15t2 ixfp76n15t2.pdf pdf_icon

IXFA76N15T2

Advance Technical Information TrenchT2TM HiperFETTM VDSS = 150V IXFA76N15T2 ID25 = 76A Power MOSFET IXFP76N15T2 RDS(on) 20m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-263 AA (IXFA) Fast Intrnsic Rectifier G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings D (TAB) VDSS TJ = 25 C to 175 C 150 V TO-220AB (IXFP) VDGR TJ = 25 C to 175 C, RGS = 1M

 9.1. Size:159K  ixys
 ixfa7n60p3 ixfp7n60p3.pdf pdf_icon

IXFA76N15T2

Advance Technical Information Polar3 TM HiPerFETTM VDSS = 600V IXFA7N60P3 Power MOSFETs ID25 = 7A IXFP7N60P3 RDS(on) 1.15 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier TO-263 AA (IXFA) G Symbol Test Conditions Maximum Ratings S VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V D (Tab) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 600 V TO-220AB

Другие MOSFET... IXFA230N075T2 , IXFA230N075T2-7 , IXFA3N120 , IXFA3N80 , IXFA4N100P , IXFA4N100Q , IXFA5N100P , IXFA6N120P , K2611 , IXFA7N100P , IXFA7N80P , IXFB100N50P , IXFB100N50Q3 , IXFB110N60P3 , IXFB120N50P2 , IXFB132N50P3 , IXFB170N30P .

History: WSF28N06 | WMK25N65EM | 2SK1808 | WML340N20HG2 | IPP07N03L | SWT69N65K2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.