Справочник MOSFET. IXFB110N60P3

 

IXFB110N60P3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFB110N60P3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1890 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056 Ohm
   Тип корпуса: PLUS264
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFB110N60P3 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:173K  ixys
 ixfb100n50p.pdf pdf_icon

IXFB110N60P3

IXFB 100N50PVDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 100 APower MOSFET RDS(on) 49 m N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS264TM (IXFB)VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 VVGSS Continuous 30

 9.2. Size:109K  ixys
 ixfb150n65x2.pdf pdf_icon

IXFB110N60P3

Advance Technical InformationX2-Class HiPerFETTM VDSS = 650VIXFB150N65X2Power MOSFET ID25 = 150A RDS(on) 17m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodePLUS264TMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 650 VGDVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VSTabVGSS Continuous 30

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: APT6038BLL | IRC8405 | IRFU224PBF | 7N65KG-T2Q-T | 2SK56 | SQJ460AEP | IRF6217

 

 
Back to Top

 


 
.