Справочник MOSFET. IXFB170N30P

 

IXFB170N30P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFB170N30P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 170 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: PLUS264
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFB170N30P Datasheet (PDF)

 9.1. Size:173K  ixys
 ixfb100n50p.pdf pdf_icon

IXFB170N30P

IXFB 100N50PVDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 100 APower MOSFET RDS(on) 49 m N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS264TM (IXFB)VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 VVGSS Continuous 30

 9.2. Size:109K  ixys
 ixfb150n65x2.pdf pdf_icon

IXFB170N30P

Advance Technical InformationX2-Class HiPerFETTM VDSS = 650VIXFB150N65X2Power MOSFET ID25 = 150A RDS(on) 17m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodePLUS264TMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 650 VGDVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VSTabVGSS Continuous 30

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: PMZB950UPE | SQJ460AEP | KHB7D5N60P1 | IRF6217 | 2SK56 | IRC8405 | 7N65KG-T2Q-T

 

 
Back to Top

 


 
.