Справочник MOSFET. IXFB60N80P

 

IXFB60N80P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFB60N80P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: PLUS264
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFB60N80P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:166K  ixys
 ixfb60n80p.pdf pdf_icon

IXFB60N80P

IXFB 60N80PVDSS = 800 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 60 APower MOSFET RDS(on) 140 m N-Channel Enhancement Modetrr 250 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS264TM (IXFB)VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 800 VVGSS Continuous 30

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FDD6680A | ME4894 | TK4A60DA | 2N4338 | SI1402DH | NTMFS6H801NT1G | BUK9506-40B

 

 
Back to Top

 


 
.