IXFB60N80P - описание и поиск аналогов

 

IXFB60N80P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXFB60N80P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm

Тип корпуса: PLUS264

Аналог (замена) для IXFB60N80P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFB60N80P даташит

 ..1. Size:166K  ixys
 ixfb60n80p.pdf pdf_icon

IXFB60N80P

IXFB 60N80P VDSS = 800 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 60 A Power MOSFET RDS(on) 140 m N-Channel Enhancement Mode trr 250 ns Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS264TM (IXFB) VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 800 V VGSS Continuous 30

Другие MOSFET... IXFB300N10P , IXFB30N120P , IXFB38N100Q2 , IXFB40N110P , IXFB44N100P , IXFB44N100Q3 , IXFB50N80Q2 , IXFB52N90P , IRFP460 , IXFB62N80Q3 , IXFB70N60Q2 , IXFB72N55Q2 , IXFB80N50Q2 , IXFB82N60P , IXFB82N60Q3 , IXFC10N80P , IXFC110N10P .

History: SRC60R090B | WMN90R360S | LSC65R290HF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.