Справочник MOSFET. IXFB72N55Q2

 

IXFB72N55Q2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFB72N55Q2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 890 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 550 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 72 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.072 Ohm
   Тип корпуса: PLUS264
 

 Аналог (замена) для IXFB72N55Q2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFB72N55Q2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:551K  ixys
 ixfb72n55q2.pdf pdf_icon

IXFB72N55Q2

HiPerFETTMVDSS = 550 VIXFB 72N55Q2Power MOSFETsID25 = 72 AQ-ClassRDS(on)= 72 mN-Channel Enhancement Mode trr 250 ns Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic RgHigh dV/dt, Low trrPreliminary Data SheetPLUS 264TM (IXFB)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 550 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M

Другие MOSFET... IXFB40N110P , IXFB44N100P , IXFB44N100Q3 , IXFB50N80Q2 , IXFB52N90P , IXFB60N80P , IXFB62N80Q3 , IXFB70N60Q2 , IRF1404 , IXFB80N50Q2 , IXFB82N60P , IXFB82N60Q3 , IXFC10N80P , IXFC110N10P , IXFC12N80P , IXFC13N50 , IXFC14N60P .

History: IRF7478PBF-1 | STN4260 | PK5G6EA | FDS6680S | HMS60N10D | ZXM64N035L3

 

 
Back to Top

 


 
.