Справочник MOSFET. IXFB72N55Q2

 

IXFB72N55Q2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFB72N55Q2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 890 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 550 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 72 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.072 Ohm
   Тип корпуса: PLUS264
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFB72N55Q2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:551K  ixys
 ixfb72n55q2.pdf pdf_icon

IXFB72N55Q2

HiPerFETTMVDSS = 550 VIXFB 72N55Q2Power MOSFETsID25 = 72 AQ-ClassRDS(on)= 72 mN-Channel Enhancement Mode trr 250 ns Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic RgHigh dV/dt, Low trrPreliminary Data SheetPLUS 264TM (IXFB)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 550 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: WSP4807 | BF861C | P0706BV | FQI15P12TU | WMB115N15HG4 | MTDK3S6R | SSM3K15AMFV

 

 
Back to Top

 


 
.