IXFB72N55Q2 - описание и поиск аналогов

 

IXFB72N55Q2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXFB72N55Q2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 890 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 550 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 72 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.072 Ohm

Тип корпуса: PLUS264

Аналог (замена) для IXFB72N55Q2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFB72N55Q2 даташит

 ..1. Size:551K  ixys
 ixfb72n55q2.pdf pdf_icon

IXFB72N55Q2

HiPerFETTM VDSS = 550 V IXFB 72N55Q2 Power MOSFETs ID25 = 72 A Q-Class RDS(on)= 72 m N-Channel Enhancement Mode trr 250 ns Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg High dV/dt, Low trr Preliminary Data Sheet PLUS 264TM (IXFB) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 550 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M

Другие MOSFET... IXFB40N110P , IXFB44N100P , IXFB44N100Q3 , IXFB50N80Q2 , IXFB52N90P , IXFB60N80P , IXFB62N80Q3 , IXFB70N60Q2 , IRF1404 , IXFB80N50Q2 , IXFB82N60P , IXFB82N60Q3 , IXFC10N80P , IXFC110N10P , IXFC12N80P , IXFC13N50 , IXFC14N60P .

History: HFP75N80C | NVA4001N | 2SK1254S

 

 

 

 

↑ Back to Top
.