IXFH160N15T - описание и поиск аналогов

 

IXFH160N15T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXFH160N15T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 830 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0096 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для IXFH160N15T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFH160N15T даташит

 8.1. Size:252K  ixys
ixfa16n50p ixfh16n50p ixfp16n50p.pdfpdf_icon

IXFH160N15T

IXFA 16N50P VDSS = 500 V PolarHVTM HiPerFET IXFH 16N50P ID25 = 16 A Power MOSFET IXFP 16N50P RDS(on) 400 m trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (IXTA) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V

 8.2. Size:112K  ixys
ixfh16n90 ixfx16n90.pdfpdf_icon

IXFH160N15T

IXFH16N90 VDSS = 900 V HiPerFETTM IXFX16N90 ID25 = 16 A Power MOSFETs RDS(on) = 0.65 W N-Channel Enhancement Mode t 200 ns High dv/dt, Low t , HDMOSTM Family rr rr Preliminary data Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 900 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 900 V (TAB) VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V ID25 TC = 2

 8.3. Size:166K  ixys
ixfa16n60p3 ixfh16n60p3 ixfp16n60p3.pdfpdf_icon

IXFH160N15T

Advance Technical Information Polar3 TM HiPerFETTM VDSS = 600V IXFA16N60P3 Power MOSFETs ID25 = 16A IXFP16N60P3 RDS(on) 440m IXFH16N60P3 N-Channel Enhancement Mode TO-263 AA (IXFA) Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier G S D (Tab) TO-220AB (IXFP) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 15

 8.4. Size:173K  ixys
ixfa16n50p3 ixfh16n50p3 ixfp16n50p3.pdfpdf_icon

IXFH160N15T

Advance Technical Information Polar3 TM HiPerFETTM VDSS = 500V IXFA16N50P3 Power MOSFETs ID25 = 16A IXFP16N50P3 RDS(on) 360m IXFH16N50P3 N-Channel Enhancement Mode TO-263 AA (IXFA) Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXFP) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 15

Другие MOSFET... IXFH14N80P , IXFH150N15P , IXFH150N17T , IXFH150N17T2 , IXFH15N100P , IXFH15N100Q , IXFH15N100Q3 , IXFH15N80Q , IRFZ46N , IXFH160N15T2 , IXFH16N120P , IXFH16N50P , IXFH16N80P , IXFH16N90Q , IXFH170N10P , IXFH17N80Q , IXFH18N60P .

History: CS13N65P | CS13N60F

 

 

 

 

↑ Back to Top
.