Справочник MOSFET. IXFH18N60P

 

IXFH18N60P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFH18N60P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 360 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IXFH18N60P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFH18N60P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:172K  ixys
ixfh18n60p ixfv18n60p.pdfpdf_icon

IXFH18N60P

IXFH 18N60P VDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETIXFV 18N60P ID25 = 18 APower MOSFET IXFV 18N60PS RDS(on) 400 m N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsFast Intrinsic DiodeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VVGS Co

 5.1. Size:183K  ixys
ixfa18n60x ixfh18n60x ixfp18n60x.pdfpdf_icon

IXFH18N60P

Preliminary Technical InformationX-Class HiPerFETTM VDSS = 600VIXFA18N60XPower MOSFET ID25 = 18AIXFP18N60X RDS(on) 230m IXFH18N60XTO-263 AA (IXFA)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeGSD (Tab)TO-220AB (IXFP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to

 6.1. Size:336K  ixys
ixfa18n65x2 ixfp18n65x2 ixfh18n65x2.pdfpdf_icon

IXFH18N60P

X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650VIXFA18N65X2Power MOSFET ID25 = 18AIXFP18N65X2 RDS(on) 200m IXFH18N65X2N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263(IXFA)GSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220VDSS TJ = 25C to 150C 650 V(IXFP)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VVGS

 7.1. Size:130K  ixys
ixfh18n100q3 ixft18n100q3.pdfpdf_icon

IXFH18N60P

Advance Technical InformationHiperFETTM VDSS = 1000VIXFT18N100Q3Power MOSFETs ID25 = 18AIXFH18N100Q3 Q3-Class RDS(on) 660m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-268 (IXFT)Fast Intrinsic RectifierGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 1000 VTO-247 (IXFH)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M

Другие MOSFET... IXFH160N15T , IXFH160N15T2 , IXFH16N120P , IXFH16N50P , IXFH16N80P , IXFH16N90Q , IXFH170N10P , IXFH17N80Q , MMD60R360PRH , IXFH18N90P , IXFH20N100P , IXFH20N80P , IXFH21N50F , IXFH21N50Q , IXFH22N50P , IXFH22N60P , IXFH22N60P3 .

History: APT4080BN | 2SK2957S | BL18N20-U | AM4404N | NCE75H25T | NTMFS4744NT1G | PHP101NQ03LT

 

 
Back to Top

 


 
.