IXFH340N075T2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IXFH340N075T2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 935 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 75 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 340 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 300 nC
Время нарастания (tr): 75 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0032 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для IXFH340N075T2
IXFH340N075T2 Datasheet (PDF)
ixfh340n075t2 ixft340n075t2.pdf
Advance Technical InformationTrenchT2TM HiPerFETTM VDSS = 75VIXFH340N075T2ID25 = 340APower MOSFETIXFT340N075T2 RDS(on) 3.2m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-247 (IXFH)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsDD (TAB)SVDSS TJ = 25C to 175C75 VVDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M 75 VVGSM Tra
ixfp34n65x2 ixfh34n65x2.pdf
X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650VIXFP34N65X2Power MOSFET ID25 = 34AIXFH34N65X2 RDS(on) 100m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-220(IXFP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGDVDSS TJ = 25C to 150C 650 VSD (Tab)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VTO-247VGSS Continuous 30 V(IXFH)VGSM Transien
ixfh34n50p3 ixfq34n50p3.pdf
Preliminary Technical InformationPolar3TM HiperFETTM VDSS = 500VIXFQ34N50P3ID25 = 34APower MOSFETsIXFH34N50P3 RDS(on) 170m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierTO-3P (IXFQ)GDSymbol Test Conditions Maximum RatingsSTabVDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 500 VTO-247
ixfa34n65x2 ixfp34n65x2 ixfh34n65x2.pdf
X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650VIXFA34N65X2Power MOSFET ID25 = 34AIXFP34N65X2 RDS(on) 100m IXFH34N65X2N-Channel Enhancement ModeTO-263 AA (IXFA)Avalanche RatedFast Intrinsic DiodeGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXFP)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGS
ixfh34n65x2.pdf
INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IXFH34N65X2FEATURESWith TO-247 packagingWith low gate drive requirementsEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
