Справочник MOSFET. IXFH340N075T2

 

IXFH340N075T2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFH340N075T2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 935 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 340 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IXFH340N075T2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFH340N075T2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:182K  ixys
 ixfh340n075t2 ixft340n075t2.pdf pdf_icon

IXFH340N075T2

Advance Technical InformationTrenchT2TM HiPerFETTM VDSS = 75VIXFH340N075T2ID25 = 340APower MOSFETIXFT340N075T2 RDS(on) 3.2m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-247 (IXFH)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsDD (TAB)SVDSS TJ = 25C to 175C75 VVDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M 75 VVGSM Tra

 8.1. Size:282K  ixys
 ixfp34n65x2 ixfh34n65x2.pdf pdf_icon

IXFH340N075T2

X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650VIXFP34N65X2Power MOSFET ID25 = 34AIXFH34N65X2 RDS(on) 100m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-220(IXFP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGDVDSS TJ = 25C to 150C 650 VSD (Tab)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VTO-247VGSS Continuous 30 V(IXFH)VGSM Transien

 8.2. Size:129K  ixys
 ixfh34n50p3 ixfq34n50p3.pdf pdf_icon

IXFH340N075T2

Preliminary Technical InformationPolar3TM HiperFETTM VDSS = 500VIXFQ34N50P3ID25 = 34APower MOSFETsIXFH34N50P3 RDS(on) 170m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierTO-3P (IXFQ)GDSymbol Test Conditions Maximum RatingsSTabVDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 500 VTO-247

 8.3. Size:205K  ixys
 ixfa34n65x2 ixfp34n65x2 ixfh34n65x2.pdf pdf_icon

IXFH340N075T2

X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650VIXFA34N65X2Power MOSFET ID25 = 34AIXFP34N65X2 RDS(on) 100m IXFH34N65X2N-Channel Enhancement ModeTO-263 AA (IXFA)Avalanche RatedFast Intrinsic DiodeGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXFP)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFH28N50Q , IXFH28N60P3 , IXFH30N40Q , IXFH30N50P , IXFH30N50Q3 , IXFH30N60P , IXFH30N60Q , IXFH320N10T2 , IRFB4110 , IXFH36N50P , IXFH36N55Q , IXFH36N55Q2 , IXFH36N60P , IXFH400N075T2 , IXFH40N50Q , IXFH40N50Q2 , IXFH42N50P2 .

History: SSF2429 | FJ4B0124 | RRQ020P03 | AM60N10-70P | AM6612NE | UPA1724 | FDS4465-NL-9

 

 
Back to Top

 


 
.