Справочник MOSFET. IXFK102N30P

 

IXFK102N30P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFK102N30P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 700 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 102 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm
   Тип корпуса: TO264
 

 Аналог (замена) для IXFK102N30P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFK102N30P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:132K  ixys
 ixfk102n30p.pdf pdf_icon

IXFK102N30P

Preliminary Technical InformationVDSS = 300 VIXFK 102N30PPolarHTTM HiPerFETID25 = 102 APower MOSFET RDS(on) 33 m N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsFast Intrinsic DiodeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 (IXFK)VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS =

 8.1. Size:159K  ixys
 ixfk100n65x2 ixfx100n65x2.pdf pdf_icon

IXFK102N30P

Advance Technical InformationX2-Class HiPerFETTM VDSS = 650VIXFK100N65X2Power MOSFET ID25 = 100AIXFX100N65X2 RDS(on) 30m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-264P (IXFK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 650 VDTabVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 V SVGSS

 8.2. Size:96K  ixys
 ixfx100n25 ixfk100n25.pdf pdf_icon

IXFK102N30P

IXFX 100N25 VDSS = 250 VHiPerFETTMIXFK 100N25 ID25 = 100 APower MOSFETsRDS(on) = 27 mSingle MOSFET Die trr 250 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM (IXFX)VDSS TJ = 25C to 150C 250 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 250 V(TAB)GVGS Continuous 20 VDVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C (MOSFET c

 8.3. Size:117K  ixys
 ixfk100n10 ixfn150n10.pdf pdf_icon

IXFK102N30P

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFK100N10 100 V 100 A 12 mWPower MOSFETsIXFN150N10 100 V 150 A 12 mWtrr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrTO-264 AA (IXFK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsIXFK IXFNVDSS TJ = 25C to 150C 100 100 VG (TAB)VDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 100 100 V DSVGS Continuous 20 20 VminiBLOC, SOT

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFH80N10 , IXFH80N15Q , IXFH86N30T , IXFH88N20Q , IXFH88N30P , IXFH96N15P , IXFH96N20P , IXFH9N80Q , 10N65 , IXFK120N20P , IXFK120N25 , IXFK120N25P , IXFK120N30T , IXFK140N20P , IXFK140N25T , IXFK140N30P , IXFK150N15P .

History: PSMN7R0-100PS | 7N65KL-TF3T-T | PDEC3907Z | AP6680GM | FQB27P06TM | PJA3402 | CEP04N7G

 

 
Back to Top

 


 
.