Справочник MOSFET. IXFK32N100Q3

 

IXFK32N100Q3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXFK32N100Q3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1250 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 1000 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 6.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 32 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 195 nC
   Время нарастания (tr): 300 ns
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.32 Ohm
   Тип корпуса: TO264

 Аналог (замена) для IXFK32N100Q3

 

 

IXFK32N100Q3 Datasheet (PDF)

 7.1. Size:161K  ixys
ixfk32n80p ixfx32n80p.pdf

IXFK32N100Q3 IXFK32N100Q3

IXFK 32N80P VDSS = 800 VPolarHVTM HiPerFETIXFX 32N80P ID25 = 32 APower MOSFET RDS(on) 270 m N-Channel Enhancement Modetrr 250 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 (IXFK)VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 800 VVGSS Contin

 7.2. Size:192K  ixys
ixfk32n60 ixfn32n60 ixfk36n60 ixfn36n60.pdf

IXFK32N100Q3 IXFK32N100Q3

IXFK 32N60 IXFN 32N60IXFK 36N60 IXFN 36N60Preliminary DataVDSS ID25 RDS(on) trrIXFK/FN 36N60 600V 36A 0.18 250nsHiPerFETTM Power MOSFETIXFK/FN 32N60 600V 32A 0.25 250nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrTO-264 AA (IXFK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsIXFK IXFNVDSS TJ = 25C to 150C 600 600 VGVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1

 7.3. Size:573K  ixys
ixfk32n50q ixfx32n50q.pdf

IXFK32N100Q3 IXFK32N100Q3

VDSS ID25 RDS(on)IXFK 32N50QHiPerFETTMIXFX 32N50Q500 V 32 A 0.16 Power MOSFETs 500 V 32 A 0.16 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low Qg, High dv/dtSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM(IXFX)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M

 7.4. Size:124K  ixys
ixfk32n90p ixfx32n90p.pdf

IXFK32N100Q3 IXFK32N100Q3

Advance Technical InformationPolarTM HiPerFETTM VDSS = 900VIXFK32N90PPower MOSFETsID25 = 32AIXFX32N90PRDS(on)

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top