Справочник MOSFET. IXFK44N80P

 

IXFK44N80P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFK44N80P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 198 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO264
 

 Аналог (замена) для IXFK44N80P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFK44N80P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:233K  ixys
 ixfk44n80p ixfx44n80p.pdf pdf_icon

IXFK44N80P

PolarTMIXFK44N80P VDSS = 800VHiperFETTMID25 = 44AIXFX44N80PPower MOSFET RDS(on) 190m N-Channel Enhancement ModeTO-264 (IXFK)Avalanche RatedFast Intrinsic DiodeGDSSymbol Test Conditions Maximum RatingsTabVDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 800 VPLUS247 (IXFX)VGSS Continuous 30

 7.1. Size:162K  ixys
 ixfn44n50 ixfk44n50 ixfn48n50 ixfk48n50.pdf pdf_icon

IXFK44N80P

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTM IXFK / IXFN 44 N50 500 V 44 A 0.12 Power MOSFETsIXFK / IXFN 48 N50 500 V 48 A 0.10 trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrTO-264 AASymbol Test Conditions Maximum Ratings(IXFK)IXFK IXFNVDSS TJ = 25C to 150C 500 500 VVDGR TJ = 25C

 7.2. Size:296K  ixys
 ixfh44n50p ixfk44n50p ixft44n50p.pdf pdf_icon

IXFK44N80P

IXFH 44N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETIXFK 44N50P ID25 = 44 APower MOSFETIXFT 44N50P RDS(on) 140 m N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-247 AD (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 175 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 500

 7.3. Size:104K  ixys
 ixfx44n60 ixfk44n60.pdf pdf_icon

IXFK44N80P

HiPerFETTM IXFX 44N60 VDSS = 600 VIXFK 44N60 ID25 = 44 APower MOSFETsRDS(on) = 130 mWSingle MOSFET Dietrr 250 nsPLUS 247TM (IXFX)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 600 V (TAB)GVGS Continuous 20 VDVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C44 ATO-264 AA (IXFK)IDM TC = 25C, pulse width limite

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFK38N80Q2 , IXFK40N50Q2 , IXFK40N90P , IXFK420N10T , IXFK44N50F , IXFK44N50P , IXFK44N50Q , IXFK44N55Q , IRFP260N , IXFK44N80Q3 , IXFK48N55 , IXFK48N60P , IXFK48N60Q3 , IXFK520N075T2 , IXFK52N60Q2 , IXFK55N50F , IXFK60N55Q2 .

 

 
Back to Top

 


 
.