Справочник MOSFET. IXFK62N25

 

IXFK62N25 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFK62N25
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 417 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 62 A
   trⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
   Тип корпуса: TO264
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFK62N25 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:169K  ixys
 ixfk64n60p ixfx64n60p.pdf pdf_icon

IXFK62N25

IXFK 64N60PVDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETIXFX 64N60PID25 = 64 APower MOSFET RDS(on) 96 m N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 (IXFK)VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 600 VVGSS Contin

 9.2. Size:225K  ixys
 ixfk64n50p ixfx64n50p.pdf pdf_icon

IXFK62N25

IXFK 64N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETIXFX 64N50P ID25 = 64 APower MOSFET RDS(on) 85 m N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 (IXFK)VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 VVGSS Continuo

 9.3. Size:71K  ixys
 ixfh60n25q ixfk60n25q ixft60n25q.pdf pdf_icon

IXFK62N25

Advanced Technical InformationIXFH 60N25QHiPerFETTMVDSS = 250 VIXFK 60N25QPower MOSFETs ID25 = 60 AIXFT 60N25QQ-Class RDS(on) = 47 mWtrr 250 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrLow Gate Charge and CapacitancesSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 250 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 250

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: AFN1034 | SQJ460AEP | IRFP4368 | IRF6217 | 2SK56 | IRC8405 | 7N65KG-T2Q-T

 

 
Back to Top

 


 
.