IXFL34N100 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFL34N100  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 550 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 300 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm

Тип корпуса: ISOPLUS264

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXFL34N100

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFL34N100 даташит

 ..1. Size:116K  ixys
 ixfl34n100.pdf pdf_icon

IXFL34N100

IXFL 34N100 VDSS = 1000 V IXFL 34N100 VDSS = 1000 V IXFL 34N100 VDSS = 1000 V IXFL 34N100 VDSS = 1000 V IXFL 34N100 VDSS = 1000 V HiPerFETTM Power MOSFETs HiPerFETTM Power MOSFETs HiPerFETTM Power MOSFETs HiPerFETTM Power MOSFETs HiPerFETTM Power MOSFETs ID25 = 30 A ID25 = 30 A ISOPLUS264TM ID25 = 30 A ISOPLUS264TM ID25 = 30 A ISOPLUS264TM ID25 = 30 A ISOPLUS264TM ISOPLUS264TM

Другие IGBT... IXFK80N60P3, IXFK88N20Q, IXFK88N30P, IXFK94N50P2, IXFK98N50P3, IXFL100N50P, IXFL30N120P, IXFL32N120P, K4145, IXFL36N110P, IXFL38N100P, IXFL38N100Q2, IXFL39N90, IXFL40N110P, IXFL44N100P, IXFL44N60, IXFL44N80