Справочник MOSFET. IXFL34N100

 

IXFL34N100 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXFL34N100
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 550 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 380 nC
   trⓘ - Время нарастания: 300 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS264

 Аналог (замена) для IXFL34N100

 

 

IXFL34N100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:116K  ixys
 ixfl34n100.pdf

IXFL34N100 IXFL34N100

IXFL 34N100 VDSS = 1000 VIXFL 34N100 VDSS = 1000 VIXFL 34N100 VDSS = 1000 VIXFL 34N100 VDSS = 1000 VIXFL 34N100 VDSS = 1000 VHiPerFETTM Power MOSFETsHiPerFETTM Power MOSFETsHiPerFETTM Power MOSFETsHiPerFETTM Power MOSFETsHiPerFETTM Power MOSFETsID25 = 30 AID25 = 30 AISOPLUS264TM ID25 = 30 AISOPLUS264TM ID25 = 30 AISOPLUS264TM ID25 = 30 AISOPLUS264TMISOPLUS264TM

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top