IXFL39N90 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFL39N90  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 694 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 39 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm

Тип корпуса: ISOPLUS264

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXFL39N90

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFL39N90 даташит

 9.1. Size:116K  ixys
 ixfl34n100.pdf pdf_icon

IXFL39N90

IXFL 34N100 VDSS = 1000 V IXFL 34N100 VDSS = 1000 V IXFL 34N100 VDSS = 1000 V IXFL 34N100 VDSS = 1000 V IXFL 34N100 VDSS = 1000 V HiPerFETTM Power MOSFETs HiPerFETTM Power MOSFETs HiPerFETTM Power MOSFETs HiPerFETTM Power MOSFETs HiPerFETTM Power MOSFETs ID25 = 30 A ID25 = 30 A ISOPLUS264TM ID25 = 30 A ISOPLUS264TM ID25 = 30 A ISOPLUS264TM ID25 = 30 A ISOPLUS264TM ISOPLUS264TM

Другие IGBT... IXFK98N50P3, IXFL100N50P, IXFL30N120P, IXFL32N120P, IXFL34N100, IXFL36N110P, IXFL38N100P, IXFL38N100Q2, 5N65, IXFL40N110P, IXFL44N100P, IXFL44N60, IXFL44N80, IXFL60N60, IXFL60N80P, IXFL70N60Q2, IXFL80N50Q2