IXFL60N60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFL60N60  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 694 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: ISOPLUS264

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXFL60N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFL60N60 даташит

 7.1. Size:198K  ixys
 ixfl60n80p.pdf pdf_icon

IXFL60N60

IXFL 60N80P VDSS = 800 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 40 A Power MOSFET RDS(on) 150 m ISOPLUS264TM trr 250 ns (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TM (IXFL) ISOPLUS264 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR T

Другие IGBT... IXFL36N110P, IXFL38N100P, IXFL38N100Q2, IXFL39N90, IXFL40N110P, IXFL44N100P, IXFL44N60, IXFL44N80, CS150N03A8, IXFL60N80P, IXFL70N60Q2, IXFL80N50Q2, IXFL82N60P, IXFN100N10S1, IXFN100N10S2, IXFN100N10S3, IXFN100N20