IXFL70N60Q2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFL70N60Q2  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 360 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.092 Ohm

Тип корпуса: ISOPLUS264

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXFL70N60Q2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFL70N60Q2 даташит

No data!

Другие IGBT... IXFL38N100Q2, IXFL39N90, IXFL40N110P, IXFL44N100P, IXFL44N60, IXFL44N80, IXFL60N60, IXFL60N80P, AON7506, IXFL80N50Q2, IXFL82N60P, IXFN100N10S1, IXFN100N10S2, IXFN100N10S3, IXFN100N20, IXFN100N50P, IXFN100N50Q3